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MT47H128M8HQ-3 IT:G TR

IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA

Micron

鎂光

MT47H128M8HQ-3 IT:G

Package:60-FBGA;包裝:卷帶(TR) 類別:集成電路(IC) 存儲器 描述:IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA

ELPIDA

美光科技

MT47H128M8HQ-3 IT:G TR

Package:60-FBGA;包裝:卷帶(TR) 類別:集成電路(IC) 存儲器 描述:IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA

ELPIDA

美光科技

MT47H128M8HQ-3AT

DDR2 SDRAM

DDR2 SDRAM MT47H256M4 – 32 Meg x 4 x 8 banks MT47H128M8 – 16 Meg x 8 x 8 banks MT47H64M16 – 8 Meg x 16 x 8 banks Features ? VDD = 1.8V ±0.1V, VDDQ = 1.8V ±0.1V ? JEDEC-standard 1.8V I/O (SSTL_18-compatible) ? Differential data strobe (DQS, DQS#) option ? 4n-bit prefetch architecture ? Dup

文件:9.27235 Mbytes 頁數(shù):131 Pages

Micron

鎂光

MT47H128M8HQ-3EAT

DDR2 SDRAM

DDR2 SDRAM MT47H256M4 – 32 Meg x 4 x 8 banks MT47H128M8 – 16 Meg x 8 x 8 banks MT47H64M16 – 8 Meg x 16 x 8 banks Features ? VDD = 1.8V ±0.1V, VDDQ = 1.8V ±0.1V ? JEDEC-standard 1.8V I/O (SSTL_18-compatible) ? Differential data strobe (DQS, DQS#) option ? 4n-bit prefetch architecture ? Dup

文件:9.27235 Mbytes 頁數(shù):131 Pages

Micron

鎂光

MT47H128M8HQ-3EIT

DDR2 SDRAM

DDR2 SDRAM MT47H256M4 – 32 Meg x 4 x 8 banks MT47H128M8 – 16 Meg x 8 x 8 banks MT47H64M16 – 8 Meg x 16 x 8 banks Features ? VDD = 1.8V ±0.1V, VDDQ = 1.8V ±0.1V ? JEDEC-standard 1.8V I/O (SSTL_18-compatible) ? Differential data strobe (DQS, DQS#) option ? 4n-bit prefetch architecture ? Dup

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Micron

鎂光

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    MT47H128M8HQ-3 IT

  • 制造商:

    Micron Technology Inc.

  • 類別:

    集成電路(IC) > 存儲器

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 存儲器類型:

    易失

  • 存儲器格式:

    DRAM

  • 技術(shù):

    SDRAM - DDR2

  • 存儲容量:

    1Gb(128M x 8)

  • 存儲器接口:

    并聯(lián)

  • 寫周期時間 - 字,頁:

    15ns

  • 電壓 - 供電:

    1.7V ~ 1.9V

  • 工作溫度:

    -40°C ~ 95°C(TC)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    60-FBGA

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    60-FBGA(8x11.5)

  • 描述:

    IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
MICRON
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