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MT46V256M4集成電路(IC)的存儲器規(guī)格書PDF中文資料

MT46V256M4
廠商型號

MT46V256M4

參數(shù)屬性

MT46V256M4 封裝/外殼為66-TSSOP(szeroko?? 0,400",10,16mm);包裝為卷帶(TR);類別為集成電路(IC)的存儲器;產(chǎn)品描述:IC DRAM 1GBIT PARALLEL 66TSOP

功能描述

DOUBLE DATA RATE (DDR) SDRAM

封裝外殼

66-TSSOP(szeroko?? 0,400",10,16mm)

文件大小

2.35495 Mbytes

頁面數(shù)量

74

生產(chǎn)廠商

MICRON

中文名稱

鎂光

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-8-7 14:11:00

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MT46V256M4規(guī)格書詳情

General Description

The 1Gb DDR SDRAM is a high-speed CMOS, dynamic random-access memory containing 1,073,741,824 bits. It is internally configured as a quad bank DRAM.

特性 Features

?VDD= +2.5V ±0.2V, VDDQ = +2.5V ±0.2V

? Bidirectional data strobe (DQS) transmitted/received with data, i.e., source-synchronous data capture (x16 has two – one per byte)

? Internal, pipelined double-data-rate (DDR) architecture; two data accesses per clock cycle

? Differential clock inputs (CK and CK#)

? Commands entered on each positive CK edge

? DQS edge-aligned with data for READs; center-aligned with data for WRITEs

? DLL to align DQ and DQS transitions with CK

? Four internal banks for concurrent operation

? Data mask (DM) for masking write data (x16 has two–one per byte)

? Programmable burst lengths: 2, 4, or 8

? Auto Refresh and Self Refresh Modes

? Longer lead TSOP for improved reliability (OCPL)

? 2.5V I/O (SSTL_2 compatible)

? Concurrent auto precharge option is supported

? tRAS lockout supported (tRAP = tRCD)

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    MT46V256M4P-6T

  • 制造商:

    Micron Technology Inc.

  • 類別:

    集成電路(IC) > 存儲器

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 存儲器類型:

    易失

  • 存儲器格式:

    DRAM

  • 技術(shù):

    SDRAM - DDR

  • 存儲容量:

    1Gb(256M x 4)

  • 存儲器接口:

    并聯(lián)

  • 寫周期時間 - 字,頁:

    15ns

  • 電壓 - 供電:

    2.3V ~ 2.7V

  • 工作溫度:

    0°C ~ 70°C(TA)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    66-TSSOP(szeroko?? 0,400",10,16mm)

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    66-TSOP

  • 描述:

    IC DRAM 1GBIT PARALLEL 66TSOP

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
Micron
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