MT3S111分立半導體產品的晶體管-雙極（BJT）-射頻規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號 |
MT3S111 |
| 參數屬性 | MT3S111 封裝/外殼為TO-243AA；包裝為卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶；類別為分立半導體產品的晶體管-雙極（BJT）-射頻；產品描述：RF TRANS NPN 6V 8GHZ PW-MINI |
| 功能描述 | Bipolar Small-Signal Transistors |
| 絲印標識 | |
| 封裝外殼 | S-MINI / TO-243AA |
| 文件大小 |
1.58274 Mbytes |
| 頁面數量 |
73 頁 |
| 生產廠商 | Toshiba Semiconductor |
| 企業(yè)簡稱 |
TOSHIBA【東芝】 |
| 中文名稱 | 株式會社東芝官網 |
| 原廠標識 | TOSHIBA |
| 數據手冊 | |
| 更新時間 | 2025-8-6 9:51:00 |
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MT3S111規(guī)格書詳情
MOS GT30F126 30F126 30A/330V IGBT TO-220F
Toshiba 30F126 GT30F126
Reference site : http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html
Reference PDF (30F124, 30F125, 30F127, 30F128, 30F131)
: http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf
產品屬性
- 產品編號：
MT3S111P(TE12L,F)
- 制造商：
Toshiba Semiconductor and Storage
- 類別：
分立半導體產品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻
- 包裝：
卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶
- 晶體管類型：
NPN
- 電壓 - 集射極擊穿（最大值）：
6V
- 頻率 - 躍遷：
8GHz
- 噪聲系數（dB，不同 f 時的典型值）：
1.25dB @ 1GHz
- 增益：
10.5dB
- 功率 - 最大值：
1W
- 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：
200 @ 30mA，5V
- 電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：
100mA
- 工作溫度：
150°C（TJ）
- 安裝類型：
表面貼裝型
- 封裝/外殼：
TO-243AA
- 供應商器件封裝：
PW-MINI
- 描述：
RF TRANS NPN 6V 8GHZ PW-MINI
| 供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
TOSHIBA |
23+ |
SOT89 |
8560 |
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詢價 | ||
TOSHIBA/東芝 |
2022+ |
365900 |
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TOSHIBA/東芝 |
23+ |
SOT23 |
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TOSHIBA/東芝 |
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TOSHIBA/東芝 |
23+ |
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TOSHIBA |
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NA |
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TOSHIBA |
24+ |
SOT89 |
20000 |
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TOSHIBA/東芝 |
22+ |
SOT23 |
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詢價 | ||
TOSHIBA/東芝 |
2008 |
SOT-89 |
8000 |
原裝現(xiàn)貨支持BOM配單服務 |
詢價 |
