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MT3S111(TE85L,F) 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻 Toshiba Semiconductor and Stor

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原廠料號(hào)：MT3S111(TE85L,F)品牌：Toshiba Semiconductor and Stor

全新原裝 支持表配單 中國(guó)著名電子元器件獨(dú)立分銷

MT3S111(TE85L,F)是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻。制造商Toshiba Semiconductor and Stor/Toshiba Semiconductor and Storage生產(chǎn)封裝S-Mini/TO-236-3，SC-59，SOT-23-3的MT3S111(TE85L,F)晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻雙極型射頻晶體管是一種具有三個(gè)端子的半導(dǎo)體器件，用于在涉及射頻的設(shè)備中開關(guān)或放大信號(hào)。雙極結(jié)型晶體管設(shè)計(jì)為 NPN 或 PNP，特征參數(shù)包括晶體管類型、集射極擊穿電壓、躍遷頻率、噪聲系數(shù)、增益、功率、DC 電流增益和集電極電流。

  • 芯片型號(hào)：

    MT3S111(TE85L,F)

  • 規(guī)格書：

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產(chǎn)品屬性

更多
  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    MT3S111(TE85L,F)

  • 制造商：

    Toshiba Semiconductor and Storage

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻

  • 包裝：

    卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 晶體管類型：

    NPN

  • 電壓 - 集射極擊穿（最大值）：

    6V

  • 頻率 - 躍遷：

    11.5GHz

  • 噪聲系數(shù)（dB，不同 f 時(shí)的典型值）：

    1.2dB @ 1GHz

  • 增益：

    12dB

  • 功率 - 最大值：

    700mW

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    200 @ 30mA，5V

  • 電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：

    100mA

  • 工作溫度：

    150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    S-Mini

  • 描述：

    RF TRANS NPN 6V 11.5GHZ SMINI

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    深圳市鵬順微電子科技有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪留言

  • 聯(lián)系人：

    楊先生

  • 手機(jī)：

    13682380609

  • 詢價(jià)：
  • 電話：

    0755-88850894/13682380609

  • 傳真：

    0755-88850894

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)華強(qiáng)賽格電子市場(chǎng)69樓6904B-6905A室

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