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PNE20080EPEZ

200V,8Ahyperfastrecoveryrectifier

Featuresandbenefits ?Reversevoltage:VR≤200V ?Forwardcurrent:IF≤8A ?Switchingtime:trr≤30ns ?Ptdopedlifetimecontrol ?Lowinductance ?PowerandflatleadSMDplasticpackage ?Packageheighttypical0.95mm ?Highpowercapabilityduetoclip-bondtechnology ?Plan

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安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司

PTB20080

25Watts,1.6-1.7GHzRFPowerTransistor

Description ThPTB20080isaclassA/AB,NPN,siliconbipolarjunction,internallymatchedRFpowertransistorintendedfor26Vdcoperationfrom1.6to1.7GHz.Itisratedat25WattsminimumoutputpowerforPEPapplications.Ionimplantation,nitridesurfacepassivationandgoldmetallization

EricssonEricsson Microelectronics

愛立信愛立信公司

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    MSRT20080AD

  • 制造商：

    GeneSiC Semiconductor

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 二極管 - 整流器 - 陣列

  • 包裝：

    散裝

  • 二極管配置：

    1 對串聯(lián)

  • 二極管類型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 電流 - 平均整流 (Io)（每二極管）：

    200A

  • 速度：

    標(biāo)準(zhǔn)恢復(fù) >500ns，> 200mA（Io）

  • 工作溫度 - 結(jié)：

    -55°C ~ 150°C

  • 安裝類型：

    底座安裝

  • 封裝/外殼：

    三塔

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    三塔

  • 描述：

    DIODE GEN PURP 800V 200A 3 TOWER

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多MSRT20080AD供應(yīng)商 更新時間2025-7-23 14:25:00

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