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PNE20080EPE-QZ	文件：264.15 Kbytes Page：12 Pages	200V,8Ahyperfastrecoveryrectifier Featuresandbenefits ?Reversevoltage:VR≤200V ?Forwardcurrent:IF≤8A ?Switchingtime:trr≤30ns ?Ptdopedlifetimecontrol ?Lowinductance ?PowerandflatleadSMDplasticpackage ?Packageheighttypical0.95mm ?Highpowercapabilityduetoclip-bondtechnology ?Plan	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半導體(中國)有限公司	NEXPERIA
PNE20080EPEZ	文件：263.96 Kbytes Page：12 Pages	200V,8Ahyperfastrecoveryrectifier Featuresandbenefits ?Reversevoltage:VR≤200V ?Forwardcurrent:IF≤8A ?Switchingtime:trr≤30ns ?Ptdopedlifetimecontrol ?Lowinductance ?PowerandflatleadSMDplasticpackage ?Packageheighttypical0.95mm ?Highpowercapabilityduetoclip-bondtechnology ?Plan	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半導體(中國)有限公司	NEXPERIA
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200V,8Ahyperfastrecoveryrectifier

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25Watts,1.6-1.7GHzRFPowerTransistor

Description ThPTB20080isaclassA/AB,NPN,siliconbipolarjunction,internallymatchedRFpowertransistorintendedfor26Vdcoperationfrom1.6to1.7GHz.Itisratedat25WattsminimumoutputpowerforPEPapplications.Ionimplantation,nitridesurfacepassivationandgoldmetallization

EricssonEricsson Microelectronics

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