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SI9926BDY	文件：251.13 Kbytes Page：9 Pages	DualN-Channel2.5-V(G-S)MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay
SI9926BDY	文件：182.97 Kbytes Page：3 Pages	DualN-Channel2.5-V(G-S)MOSFET DESCRIPTION Theattachedspicemodeldescribesthetypicalelectrical characteristicsofthen-channelverticalDMOS.Thesubcircuit modelisextractedandoptimizedoverthe?55to125°C temperaturerangesunderthepulsed0to5Vgatedrive.The saturatedoutputimpedanceisbest	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay
SI9926BDY	文件：109.92 Kbytes Page：6 Pages	DualN-Channel2.5-V(G-S)MOSFET FEATURES ?Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition ?TrenchFET?PowerMOSFETS ?ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay
SI9926BDY-HF	文件：525.24 Kbytes Page：2 Pages	DualN-ChannelMOSFET	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信電子廣東科信實業(yè)有限公司	KEXIN
SI9926CD	文件：258.38 Kbytes Page：10 Pages	DualN-Channel20-V(D-S)MOSFET	TFUNKVishay Telefunken 威世威世（VISHAY）集團	TFUNK
SI9926CDY	文件：255.75 Kbytes Page：10 Pages	DualN-Channel20-V(D-S)MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay
SI9926CDY	文件：1.33306 Mbytes Page：4 Pages	DualN-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半導體有限公司	DOINGTER
SI9926CDY	文件：200.99 Kbytes Page：9 Pages	DualN-Channel20V(D-S)MOSFET FEATURES ?TrenchFET?powerMOSFET ?100UIStested ?Materialcategorization:? fordefinitionsofcompliancepleasesee www.vishay.com/doc?99912 APPLICATIONS ?DC/DCconverter? -Gamemachine? -PC	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay
SI9926DY	文件：85.4 Kbytes Page：5 Pages	DualN-Channel2.5VSpecifiedPowerTrenchMOSFET GeneralDescription TheseN-Channel2.5VspecifiedMOSFETsuseFairchildSemiconductor’sadvancedPowerTrenchprocess.Ithasbeenoptimizedforpowermanagementapplicationswithawiderangeofgatedrivevoltage(2.5V–10V). Features ?6.5A,20V.RDS(ON)=0.030?@VGS=4.5VRDS(ON)=	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導體飛兆/仙童半導體公司	Fairchild
SI9926DY	文件：514.2 Kbytes Page：2 Pages	DualN-ChannelMOSFET	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信電子廣東科信實業(yè)有限公司	KEXIN

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