MSC82306中文資料意法半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

廠商型號(hào) |
MSC82306 |
功能描述 | RF & MICROWAVE TRANSISTORS GENERAL PURPOSE AMPLIFIER APPLICATIONS |
文件大小 |
54.54 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
4 頁 |
生產(chǎn)廠商 | STMICROELECTRONICS |
中文名稱 | 意法半導(dǎo)體 |
網(wǎng)址 | |
數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
更新時(shí)間 | 2025-9-1 23:01:00 |
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MSC82306規(guī)格書詳情
DESCRIPTION
The MSC82306 is a common base hermetically sealed silicon NPN microwave power transistor utilizing a rugged overaly die geometry. This device is capable of withstanding 20:1 load VSWR at any phase angle under rated conditions.
The MSC82306 was designed for Class C Amplifier/Oscillator applications in the 1.5 - 2.3 GHz frequency range.
■ REFRACTORYGOLD METALLIZATION
■ VSWR CAPABILITY 20:1 @ RATED CONDITIONS
■ HERMETIC STRIPAC? PACKAGE
■ POUT = 5.5 W MIN. WITH 9.6 dB GAIN
產(chǎn)品屬性
- 型號(hào):
MSC82306
- 制造商:
STMICROELECTRONICS
- 制造商全稱:
STMicroelectronics
- 功能描述:
RF & MICROWAVE TRANSISTORS GENERAL PURPOSE AMPLIFIER APPLICATIONS
供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
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FREESCALE |
24+ |
NA/ |
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