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MSC82306中文資料意法半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

MSC82306
廠商型號(hào)

MSC82306

功能描述

RF & MICROWAVE TRANSISTORS GENERAL PURPOSE AMPLIFIER APPLICATIONS

文件大小

54.54 Kbytes

頁面數(shù)量

4

生產(chǎn)廠商

STMICROELECTRONICS

中文名稱

意法半導(dǎo)體

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-9-1 23:01:00

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MSC82306規(guī)格書詳情

DESCRIPTION

The MSC82306 is a common base hermetically sealed silicon NPN microwave power transistor utilizing a rugged overaly die geometry. This device is capable of withstanding 20:1 load VSWR at any phase angle under rated conditions.

The MSC82306 was designed for Class C Amplifier/Oscillator applications in the 1.5 - 2.3 GHz frequency range.

■ REFRACTORYGOLD METALLIZATION

■ VSWR CAPABILITY 20:1 @ RATED CONDITIONS

■ HERMETIC STRIPAC? PACKAGE

■ POUT = 5.5 W MIN. WITH 9.6 dB GAIN

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    MSC82306

  • 制造商:

    STMICROELECTRONICS

  • 制造商全稱:

    STMicroelectronics

  • 功能描述:

    RF & MICROWAVE TRANSISTORS GENERAL PURPOSE AMPLIFIER APPLICATIONS

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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