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MSC3930-BT1G分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻規(guī)格書PDF中文資料

MSC3930-BT1G
廠商型號

MSC3930-BT1G

參數(shù)屬性

MSC3930-BT1G 封裝/外殼為SC-70,SOT-323;包裝為散裝;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻;產(chǎn)品描述:RF TRANS NPN 20V 150MHZ SC70-3

功能描述

NPN RF Amplifier Transistor
RF TRANS NPN 20V 150MHZ SC70-3

封裝外殼

SC-70,SOT-323

文件大小

42.15 Kbytes

頁面數(shù)量

2

生產(chǎn)廠商 ON Semiconductor
企業(yè)簡稱

ONSEMI安森美半導(dǎo)體

中文名稱

安森美半導(dǎo)體公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

原廠下載下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-8-6 15:32:00

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MSC3930-BT1G規(guī)格書詳情

MSC3930-BT1G屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻。由安森美半導(dǎo)體公司制造生產(chǎn)的MSC3930-BT1G晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻雙極型射頻晶體管是一種具有三個端子的半導(dǎo)體器件,用于在涉及射頻的設(shè)備中開關(guān)或放大信號。雙極結(jié)型晶體管設(shè)計為 NPN 或 PNP,特征參數(shù)包括晶體管類型、集射極擊穿電壓、躍遷頻率、噪聲系數(shù)、增益、功率、DC 電流增益和集電極電流。

NPN RF Amplifier Transistor

? Pb?Free Package is Available

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    MSC3930-BT1G

  • 制造商:

    onsemi

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻

  • 包裝:

    散裝

  • 晶體管類型:

    NPN

  • 電壓 - 集射極擊穿(最大值):

    20V

  • 頻率 - 躍遷:

    150MHz

  • 功率 - 最大值:

    200mW

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    70 @ 1mA,10V

  • 電流 - 集電極 (Ic)(最大值):

    30mA

  • 工作溫度:

    150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    SC-70,SOT-323

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    SC-70-3(SOT323)

  • 描述:

    RF TRANS NPN 20V 150MHZ SC70-3

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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QFN
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原裝現(xiàn)貨
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