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MSC0606W

N and P-Channel Enhancement Mode Power MOS FET

MORESEMIMORE Semiconductor Company Limited

摩矽半導(dǎo)體摩矽半導(dǎo)體有限公司

N0606N

N-channelMOSFET

Features ?Lowon-stateresistance:RDS(on)=12.9mΩmax.(VGS=10V,ID=30A) ?LowCiss:Ciss=2170pFtyp.(VDS=25V) ?Highcurrent:ID(DC)=±60A ?RoHSCompliant ?QualityGrade:Standard ?Applications:Forhighcurrentswitching

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

OPB0606

SiliconPhotoTransistor

Structure 1.1ChipSize:0.61mmX0.61mm 1.2Chipthickness:280±20um 1.3Metallization:Top-Al,Bottom-Au 1.4Passivation:SiliconNitride 1.5BondingPadSize -Emitter:155umX155um -Base:90umX90um

KODENSHIKODENSHI_AUK CORP.

可天士可天士光電子集團(tuán)

OPD0606

SiliconPINPhotoDiode

HighSpeedSensitivity CommoncathodetypePINPhotoDiode Structure 1.1ChipSize:0.68X0.68mm 1.2ChipThickness:280±20um 1.3Metallization:Top-Al,Bottom-Au 1.4Passivation:SiliconNitride 1.5BondingPadSize -Anode(Top):150um -Cathode(Bottom):680umX680um 1

KODENSHIKODENSHI_AUK CORP.

可天士可天士光電子集團(tuán)

RCC0606

RADIALCHOKECOIL

SUPERWORLDSuperworld Electronics

超級(jí)世界電子超級(jí)世界電子公司

RJF0606JPE

SiliconNChannelMOSFETSeriesPowerSwitching

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

RQK0606KGDQA

SiliconNChannelMOSFETPowerSwitching

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

RQK0606KGDQA

SiliconNChannelMOSFETPowerSwitching

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

RQK0606KGDQATL-E

N-Channel60-V(D-S)MOSFET

FEATURES ?Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Available ?TrenchFET?PowerMOSFET ?100RgTested ?100UISTested APPLICATIONS ?BatterySwitch ?DC/DCConverter

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司

RQK0606KGDQATL-H

SiliconNChannelMOSFETPowerSwitching

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
MICROCHIP/微芯
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原廠授權(quán)一級(jí)代理,專業(yè)海外優(yōu)勢(shì)訂貨,價(jià)格優(yōu)勢(shì)、品種
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更多MSC0606W供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-7-29 16:35:00

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