MS652分立半導體產品的晶體管-雙極（BJT）-射頻規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號 |
MS652 |
| 參數(shù)屬性 | MS652 封裝/外殼為M123；包裝為托盤；類別為分立半導體產品的晶體管-雙極（BJT）-射頻；產品描述：RF TRANS NPN 16V 512MHZ M123 |
| 功能描述 | 5.0 Watts, 12.5 Volts, Class C UHF Applications |
| 封裝外殼 | M123 |
| 文件大小 |
127.09 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
4 頁 |
| 生產廠商 | MICROSEMI |
| 中文名稱 | 美高森美 |
| 網(wǎng)址 | |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2025-8-12 14:45:00 |
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MS652規(guī)格書詳情
MS652屬于分立半導體產品的晶體管-雙極（BJT）-射頻。由美高森美公司制造生產的MS652晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻雙極型射頻晶體管是一種具有三個端子的半導體器件，用于在涉及射頻的設備中開關或放大信號。雙極結型晶體管設計為 NPN 或 PNP，特征參數(shù)包括晶體管類型、集射極擊穿電壓、躍遷頻率、噪聲系數(shù)、增益、功率、DC 電流增益和集電極電流。
產品屬性
更多- 產品編號：
MS652S
- 制造商：
Microsemi Corporation
- 類別：
分立半導體產品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻
- 包裝：
托盤
- 晶體管類型：
NPN
- 電壓 - 集射極擊穿（最大值）：
16V
- 頻率 - 躍遷：
450MHz ~ 512MHz
- 增益：
10dB
- 功率 - 最大值：
25W
- 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：
10 @ 200mA，5V
- 電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：
2A
- 工作溫度：
200°C（TJ）
- 安裝類型：
底座安裝
- 封裝/外殼：
M123
- 供應商器件封裝：
M123
- 描述：
RF TRANS NPN 16V 512MHZ M123
| 供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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MOSA |
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