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MS4101D	文件：5.06369 Mbytes Page：86 Pages	Positronic Provides Complete Capability Experience ?Foundedin1966 ?Involvementinthedevelopmentofinternationalconnector specificationsthroughEIA?,IECandISOaswellasPICMG?. ?Introductionofnewanduniqueconnectorproductstotheelectronicsindustry. ?Patentholderformanyuniqueconnectorfeaturesandmanufact	POSITRONIC connectpositronic	POSITRONIC
N4101	文件：265.04 Kbytes Page：1 Pages	SMDRJ4510/100BASE-TwithMagneticModule	MPSINDMPS Industries, Inc. 美國芯源	MPSIND
NTHS4101P	文件：59.42 Kbytes Page：6 Pages	PowerMOSFET-20V,6.7A,P-ChannelChipFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
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NTR4101P	文件：232.24 Kbytes Page：2 Pages	TrenchPowerMOSFET Features ?Leading?20VTrenchforLowRDS(on) ??1.8VRatedforLowVoltageGateDrive ?SOT?23SurfaceMountforSmallFootprint ?NTRVPrefixforAutomotiveandOtherApplicationsRequiring UniqueSiteandControlChangeRequirements;AEC?Q101 QualifiedandPPAPCapable ?These	ZPSEMIZP Semiconductor 至尚臻品	ZPSEMI
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NTR4101P	文件：219.5 Kbytes Page：6 Pages	MOSFET–Power,SingleP-Channel,Trench,SOT-23-20V Features ?Leading?20VTrenchforLowRDS(on) ??1.8VRatedforLowVoltageGateDrive ?SOT?23SurfaceMountforSmallFootprint ?NTRVPrefixforAutomotiveandOtherApplicationsRequiring UniqueSiteandControlChangeRequirements;AEC?Q101 QualifiedandPPAPCapable ?TheseDevices	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
NTRV4101P	文件：219.5 Kbytes Page：6 Pages	MOSFET–Power,SingleP-Channel,Trench,SOT-23-20V Features ?Leading?20VTrenchforLowRDS(on) ??1.8VRatedforLowVoltageGateDrive ?SOT?23SurfaceMountforSmallFootprint ?NTRVPrefixforAutomotiveandOtherApplicationsRequiring UniqueSiteandControlChangeRequirements;AEC?Q101 QualifiedandPPAPCapable ?TheseDevices	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI

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