MS1006分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極（BJT）-射頻規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號 |
MS1006 |
| 參數(shù)屬性 | MS1006 封裝/外殼為M135；包裝為帶；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極（BJT）-射頻；產(chǎn)品描述：RF TRANS NPN 55V 30MHZ M135 |
| 功能描述 | RF AND MICROWAVE TRANSISTORS HF SSB APPLICATIONS |
| 封裝外殼 | M135 |
| 文件大小 |
104.72 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
3 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | ADPOW |
| 網(wǎng)址 | |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2025-8-16 18:30:00 |
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MS1006規(guī)格書詳情
DESCRIPTION:
The MS1006 is a 50 V Class AB epitaxial silicon NPN planar transistor designed primarily for SSB and VHF communications. This device utilizes emitter ballasting for improved ruggedness and reliability.
特性 Features
? Optimized for SSB
? 30 MHz
? 50 Volts
? Common Emitter
? Gold Metallization
? POUT = 75 W Min.
? GP = 14 dB Gain
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號：
MS1006
- 制造商：
Microsemi Corporation
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻
- 包裝：
帶
- 晶體管類型：
NPN
- 電壓 - 集射極擊穿（最大值）：
55V
- 頻率 - 躍遷：
30MHz
- 增益：
14dB
- 功率 - 最大值：
127W
- 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：
19 @ 1.4A，6V
- 電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：
3.25A
- 工作溫度：
200°C
- 安裝類型：
接線柱安裝
- 封裝/外殼：
M135
- 供應(yīng)商器件封裝：
M135
- 描述：
RF TRANS NPN 55V 30MHZ M135
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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