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MRFG35010N中文資料飛思卡爾數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

MRFG35010N
廠商型號

MRFG35010N

功能描述

RF Power Field Effect Transistor

文件大小

190.58 Kbytes

頁面數(shù)量

12

生產(chǎn)廠商

freescale Freescale Semiconductor, Inc

中文名稱

飛思卡爾 飛思卡爾半導(dǎo)體

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-9-5 12:00:00

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MRFG35010N規(guī)格書詳情

Gallium Arsenide PHEMT RF Power Field Effect Transistor

Designed for WLL/MMDS/BWA or UMTS driver applications with frequencies from 1.8 to 3.6 GHz. This device is unmatched and is suitable for use in Class AB linear base station applications.

? Typical W-CDMA Performance: -42 dBc ACPR, 3.55 GHz, 12 Volts,

IDQ = 180 mA, 5 MHz Offset/3.84 MHz BW, 64 DPCH (8.5 dB P/A

@ 0.01 Probability)

Output Power — 900 mW

Power Gain — 10 dB

Efficiency — 28

? 9 Watts P1dB @ 3.55 GHz

? Excellent Phase Linearity and Group Delay Characteristics

? High Gain, High Efficiency and High Linearity

? N Suffix Indicates Lead-Free Terminations. RoHS Compliant.

? In Tape and Reel. T1 Suffix = 1000 Units per 12 mm, 7 inch Reel.

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    MRFG35010N

  • 制造商:

    FREESCALE

  • 制造商全稱:

    Freescale Semiconductor, Inc

  • 功能描述:

    RF Power Field Effect Transistor

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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