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MRF7S35120HSR3數(shù)據(jù)手冊(cè)恩XP中文資料規(guī)格書

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廠商型號(hào)

MRF7S35120HSR3

功能描述

3100-3500 MHz, 120 W峰值, 32 V脈沖射頻功率LDMOS

制造商

恩XP 恩XP

中文名稱

N智浦

數(shù)據(jù)手冊(cè)

下載地址下載地址二

更新時(shí)間

2025-8-24 17:09:00

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MRF7S35120HSR3規(guī)格書詳情

描述 Description

MRF7S35120HSR3適用于脈沖寬帶應(yīng)用,運(yùn)行頻率為3100至3500MHz。

特性 Features

典型脈沖性能:VDD = 32 V,IDQ = 150 mA,輸出功率 = 120 W峰值(24 W平均值),脈沖信號(hào),f = 3500 MHz,脈沖寬度 = 100 μsec,占空比 = 20% 功率增益:12 dB漏極效率:40% 上升時(shí)間:6 ns下降時(shí)間:6 ns
典型WiMAX性能:VDD = 32 V,IDQ = 900 mA,平均輸出功率 = 18 W,f = 3500 MHz,802.16d,64 QAM 3/4,4突發(fā)脈沖,7 MHz信道帶寬,輸入信號(hào)PAR = 9.5 dB @ 0.01% CCDF。 功率增益:13 dB漏極效率:16%RCE:–33 dB (EVM — 2.2% rms)
在32 Vdc,3300 MHz,120 W峰值功率時(shí),能承受10:1 VSWR
在32 Vdc時(shí),能承受3 dB過驅(qū)
提供串聯(lián)等效大信號(hào)阻抗參數(shù)
內(nèi)部匹配,簡便易用
工作電壓最高可達(dá)32 VDD
集成的ESD保護(hù)
增大負(fù)柵源電壓范圍,改善C類放大器運(yùn)行
符合RoHS規(guī)范
采用盤卷包裝。R3后綴 = 250個(gè),56 mm卷帶寬度,13英寸卷盤

技術(shù)參數(shù)

  • 型號(hào):

    MRF7S35120HSR3

  • 功能描述:

    射頻MOSFET電源晶體管 HV7 120W PULSED

  • RoHS:

  • 制造商:

    Freescale Semiconductor

  • 配置:

    Single

  • 頻率:

    1800 MHz to 2000 MHz

  • 增益:

    27 dB

  • 輸出功率:

    100 W

  • 封裝/箱體:

    NI-780-4

  • 封裝:

    Tray

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
恩XP
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一級(jí)代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力
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