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MRF6VP21KHR6中文資料飛思卡爾數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

MRF6VP21KHR6
廠商型號(hào)

MRF6VP21KHR6

功能描述

RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET

文件大小

445.42 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

11 頁(yè)

生產(chǎn)廠商

FREESCALE Freescale Semiconductor, Inc

中文名稱

飛思卡爾 飛思卡爾半導(dǎo)體

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-8-9 23:01:00

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MRF6VP21KHR6規(guī)格書詳情

10--235 MHz, 1000 W, 50 V LATERAL N--CHANNEL BROADBAND RF POWER MOSFET

Designed primarily for pulsed wideband applications with frequencies up to 235 MHz. Device is unmatched and is suitable for use in industrial, medical and scientific applications.

? Typical Pulsed Performance at 225 MHz: VDD = 50 Volts, IDQ = 150 mA, Pout = 1000 Watts Peak (200 W Avg.), Pulse Width = 100 μsec, Duty Cycle = 20

Power Gain — 24 dB

Drain Efficiency — 67.5

? Capable of Handling 10:1 VSWR, @ 50 Vdc, 225 MHz, 1000 Watts Peak Power

特性 Features

? Characterized with Series Equivalent Large--Signal Impedance Parameters

? CW Operation Capability with Adequate Cooling

? Qualified Up to a Maximum of 50 VDD Operation

? Integrated ESD Protection

? Designed for Push--Pull Operation

? Greater Negative Gate--Source Voltage Range for Improved Class C Operation

? RoHS Compliant

? In Tape and Reel. R6 Suffix = 150 Units per 56 mm, 13 inch Reel.

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    MRF6VP21KHR6

  • 功能描述:

    射頻MOSFET電源晶體管 VHV6 225MHZ 1000W NI1230

  • RoHS:

  • 制造商:

    Freescale Semiconductor

  • 配置:

    Single

  • 頻率:

    1800 MHz to 2000 MHz

  • 增益:

    27 dB

  • 輸出功率:

    100 W

  • 封裝/箱體:

    NI-780-4

  • 封裝:

    Tray

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
Freescale(飛思卡爾)
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