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MRF6V10250HSR3中文資料飛思卡爾數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)

MRF6V10250HSR3
廠商型號(hào)

MRF6V10250HSR3

功能描述

RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET

文件大小

368.33 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

10 頁(yè)

生產(chǎn)廠商

FREESCALE Freescale Semiconductor, Inc

中文名稱(chēng)

飛思卡爾 飛思卡爾半導(dǎo)體

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-8-10 11:10:00

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MRF6V10250HSR3規(guī)格書(shū)詳情

1090 MHz, 250 W, 50 V PULSED LATERAL N-CHANNEL RF POWER MOSFET

RF Power transistor designed for applications operating at frequencies between 1030 and 1090 MHz, 1 to 20 duty cycle. This device is suitable for use in pulsed applications.

? Typical Pulsed Performance: VDD = 50 Volts, IDQ = 250 mA, Pout = 250 Watts Peak, f = 1090 MHz, Pulse Width = 100 μsec, Duty Cycle = 10

Power Gain — 21 dB

Drain Efficiency — 60

? Capable of Handling 10:1 VSWR, @ 50 Vdc, 1090 MHz, 250 Watts Peak Power

特性 Features

? Characterized with Series Equivalent Large-Signal Impedance Parameters

? Internally Matched for Ease of Use

? Qualified Up to a Maximum of 50 VDD Operation

? Integrated ESD Protection

? Greater Negative Gate-Source Voltage Range for Improved Class C Operation

? RoHS Compliant

? In Tape and Reel. R3 Suffix = 250 Units per 56 mm, 13 inch Reel.

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    MRF6V10250HSR3

  • 功能描述:

    射頻MOSFET電源晶體管 VHV6 250W AVIONIC NI780S

  • RoHS:

  • 制造商:

    Freescale Semiconductor

  • 配置:

    Single

  • 頻率:

    1800 MHz to 2000 MHz

  • 增益:

    27 dB

  • 輸出功率:

    100 W

  • 封裝/箱體:

    NI-780-4

  • 封裝:

    Tray

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
23+
10000
原廠授權(quán)一級(jí)代理,專(zhuān)業(yè)海外優(yōu)勢(shì)訂貨,價(jià)格優(yōu)勢(shì)、品種
詢(xún)價(jià)
Freescale
2308+
原廠原包
6850
十年專(zhuān)業(yè)專(zhuān)注 優(yōu)勢(shì)渠道商正品保證
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