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MRF6V10010NR4中文資料飛思卡爾數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

MRF6V10010NR4
廠商型號

MRF6V10010NR4

功能描述

RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET

文件大小

647.91 Kbytes

頁面數(shù)量

10

生產(chǎn)廠商

FREESCALE Freescale Semiconductor, Inc

中文名稱

飛思卡爾 飛思卡爾半導體

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更新時間

2025-8-10 12:09:00

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MRF6V10010NR4規(guī)格書詳情

1090 MHz, 10 W, 50 V PULSED LATERAL N--CHANNEL RF POWER MOSFET

RF Power transistor designed for applications operating at frequencies between 960 and 1400 MHz, 1 to 20 duty cycle. This device is suitable for use in pulsed applications.

? Typical Pulsed Performance: VDD = 50 Volts, IDQ = 10 mA, Pout = 10 Watts Peak (2 W Avg.), f = 1090 MHz, Pulse Width = 100 μsec, Duty Cycle = 20

Power Gain — 25 dB

Drain Efficiency — 69

特性 Features

? Characterized with Series Equivalent Large--Signal Impedance Parameters

? Qualified Up to a Maximum of 50 VDD Operation

? Integrated ESD Protection

? Greater Negative Gate--Source Voltage Range for Improved Class C Operation

? RoHS Compliant

? In Tape and Reel. R4 Suffix = 100 Units per 12 mm, 7 inch Reel.

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    MRF6V10010NR4

  • 功能描述:

    射頻MOSFET電源晶體管 VHV6 10W PULSE PLD1.5

  • RoHS:

  • 制造商:

    Freescale Semiconductor

  • 配置:

    Single

  • 頻率:

    1800 MHz to 2000 MHz

  • 增益:

    27 dB

  • 輸出功率:

    100 W

  • 封裝/箱體:

    NI-780-4

  • 封裝:

    Tray

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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