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MRF6V10010NR4中文資料飛思卡爾數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

廠商型號 |
MRF6V10010NR4 |
功能描述 | RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET |
文件大小 |
647.91 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
10 頁 |
生產(chǎn)廠商 | FREESCALE Freescale Semiconductor, Inc |
中文名稱 | 飛思卡爾 飛思卡爾半導體 |
網(wǎng)址 | |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時間 | 2025-8-10 12:09:00 |
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MRF6V10010NR4規(guī)格書詳情
1090 MHz, 10 W, 50 V PULSED LATERAL N--CHANNEL RF POWER MOSFET
RF Power transistor designed for applications operating at frequencies between 960 and 1400 MHz, 1 to 20 duty cycle. This device is suitable for use in pulsed applications.
? Typical Pulsed Performance: VDD = 50 Volts, IDQ = 10 mA, Pout = 10 Watts Peak (2 W Avg.), f = 1090 MHz, Pulse Width = 100 μsec, Duty Cycle = 20
Power Gain — 25 dB
Drain Efficiency — 69
特性 Features
? Characterized with Series Equivalent Large--Signal Impedance Parameters
? Qualified Up to a Maximum of 50 VDD Operation
? Integrated ESD Protection
? Greater Negative Gate--Source Voltage Range for Improved Class C Operation
? RoHS Compliant
? In Tape and Reel. R4 Suffix = 100 Units per 12 mm, 7 inch Reel.
產(chǎn)品屬性
- 型號:
MRF6V10010NR4
- 功能描述:
射頻MOSFET電源晶體管 VHV6 10W PULSE PLD1.5
- RoHS:
否
- 制造商:
Freescale Semiconductor
- 配置:
Single
- 頻率:
1800 MHz to 2000 MHz
- 增益:
27 dB
- 輸出功率:
100 W
- 封裝/箱體:
NI-780-4
- 封裝:
Tray
供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
恩XP |
24+ |
PLD-1.5 |
30000 |
原裝正品公司現(xiàn)貨,假一賠十! |
詢價 | ||
恩XP |
24+ |
PLD-1.5 |
6000 |
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詢價 | ||
FREESCALE |
2447 |
20 |
100500 |
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FREESCALE |
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NA |
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恩XP |
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NA |
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Freescale(飛思卡爾) |
2022+ |
60000 |
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恩XP |
24+ |
PLD-1 |
7863 |
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詢價 | ||
Fairchild |
24+ |
7500 |
詢價 | ||||
恩XP |
25+ |
PLD-1.5 |
6000 |
原廠原裝 歡迎詢價 |
詢價 | ||
恩XP |
22+ |
PLD-1.5 |
12000 |
只有原裝,原裝,假一罰十 |
詢價 |