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MRF6S20010GNR1中文資料飛思卡爾數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

MRF6S20010GNR1
廠商型號

MRF6S20010GNR1

功能描述

RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs

文件大小

688.91 Kbytes

頁面數(shù)量

27

生產(chǎn)廠商

FREESCALE Freescale Semiconductor, Inc

中文名稱

飛思卡爾 飛思卡爾半導(dǎo)體

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-8-11 23:39:00

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產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    MRF6S20010GNR1

  • 功能描述:

    射頻MOSFET電源晶體管 HV6 2GHZ 10W

  • RoHS:

  • 制造商:

    Freescale Semiconductor

  • 配置:

    Single

  • 頻率:

    1800 MHz to 2000 MHz

  • 增益:

    27 dB

  • 輸出功率:

    100 W

  • 封裝/箱體:

    NI-780-4

  • 封裝:

    Tray

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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