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MRF6S18140HSR3中文資料飛思卡爾數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

MRF6S18140HSR3
廠商型號

MRF6S18140HSR3

功能描述

RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs

文件大小

409.91 Kbytes

頁面數(shù)量

12

生產(chǎn)廠商

FREESCALE Freescale Semiconductor, Inc

中文名稱

飛思卡爾 飛思卡爾半導(dǎo)體

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-8-11 18:15:00

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MRF6S18140HSR3規(guī)格書詳情

Designed for N-CDMA base station applications with frequencies from 1805 to 1880 MHz. Suitable for TDMA, CDMA and multicarrier amplifier applications. To be used in Class AB for PCN- PCS/cellular radio and WLL applications.

特性 Features

? Characterized with Series Equivalent Large-Signal Impedance Parameters

? Internally Matched for Ease of Use

? Qualified Up to a Maximum of 32 VDD Operation

? Integrated ESD Protection

? Designed for Lower Memory Effects and Wide Instantaneous Bandwidth Applications

? RoHS Compliant

? In Tape and Reel. R3 Suffix = 250 Units per 56 mm, 13 inch Reel.

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    MRF6S18140HSR3

  • 功能描述:

    射頻MOSFET電源晶體管 1.8GHZ 28V 29W

  • RoHS:

  • 制造商:

    Freescale Semiconductor

  • 配置:

    Single

  • 頻率:

    1800 MHz to 2000 MHz

  • 增益:

    27 dB

  • 輸出功率:

    100 W

  • 封裝/箱體:

    NI-780-4

  • 封裝:

    Tray

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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