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MRF6522-70R3中文資料飛思卡爾數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

MRF6522-70R3
廠商型號

MRF6522-70R3

功能描述

The RF MOSFET Line RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET

文件大小

510.8 Kbytes

頁面數(shù)量

8

生產(chǎn)廠商 Freescale Semiconductor, Inc
企業(yè)簡稱

FREESCALE飛思卡爾

中文名稱

飛思卡爾半導體官網(wǎng)

原廠標識
FREESCALE
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-8-2 16:31:00

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MRF6522-70R3規(guī)格書詳情

RF Power Field Effect Transistor

N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFET

Designed for GSM 900 frequency band, the high gain and broadband performance of this device make it ideal for large--signal, common source amplifier applications in 26 volt base station equipment.

? Specified Performance @ 940 MHz, 26 Volts

Output Power, P1dB — 80 Watts (Typ)

Power Gain @ P1dB — 16 dB (Typ)

Efficiency @ P1dB — 58 (Typ)

? Capable of Handling 5:1 VSWR, @ 26 Vdc, 945 MHz, 50 Watts CW Output Power

? RoHS Compliant

? In Tape and Reel. R3 Suffix = 250 Units per 32 mm, 13 inch Reel.

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    MRF6522-70R3

  • 制造商:

    FREESCALE

  • 制造商全稱:

    Freescale Semiconductor, Inc

  • 功能描述:

    The RF MOSFET Line RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET

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