MRF581分立半導體產品的晶體管-雙極（BJT）-射頻規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號 |
MRF581 |
| 參數(shù)屬性 | MRF581 封裝/外殼為微型-X 陶瓷 84C；包裝為卷帶（TR）；類別為分立半導體產品的晶體管-雙極（BJT）-射頻；產品描述：RF TRANS NPN 18V 5GHZ MICRO X |
| 功能描述 | RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTORS |
| 封裝外殼 | 微型-X 陶瓷 84C |
| 文件大小 |
162.77 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
6 頁 |
| 生產廠商 | MICROSEMI |
| 中文名稱 | 美高森美 |
| 網址 | |
| 數(shù)據手冊 | |
| 更新時間 | 2025-8-10 19:00:00 |
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MRF581規(guī)格書詳情
MRF581屬于分立半導體產品的晶體管-雙極（BJT）-射頻。由美高森美公司制造生產的MRF581晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻雙極型射頻晶體管是一種具有三個端子的半導體器件，用于在涉及射頻的設備中開關或放大信號。雙極結型晶體管設計為 NPN 或 PNP，特征參數(shù)包括晶體管類型、集射極擊穿電壓、躍遷頻率、噪聲系數(shù)、增益、功率、DC 電流增益和集電極電流。
產品屬性
更多- 產品編號：
MRF581
- 制造商：
Microsemi Corporation
- 類別：
分立半導體產品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻
- 包裝：
卷帶（TR）
- 晶體管類型：
NPN
- 電壓 - 集射極擊穿（最大值）：
18V
- 頻率 - 躍遷：
5GHz
- 噪聲系數(shù)（dB，不同 f 時的典型值）：
3dB ~ 3.5dB @ 500MHz
- 增益：
13dB ~ 15.5dB
- 功率 - 最大值：
1.25W
- 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：
50 @ 50mA，5V
- 電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：
200mA
- 工作溫度：
150°C（TJ）
- 安裝類型：
表面貼裝型
- 封裝/外殼：
微型-X 陶瓷 84C
- 供應商器件封裝：
微型-X 陶瓷 84C
- 描述：
RF TRANS NPN 18V 5GHZ MICRO X
| 供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON |
24+ |
SOP8 |
20000 |
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Microsemi/美高森美 |
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SOP8 |
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原裝正品現(xiàn)貨 |
詢價 | ||
MRF581 |
3 |
3 |
詢價 | ||||
24+ |
5000 |
公司存貨 |
詢價 | ||||
MICROSEMI/美高森美 |
23+ |
TO-59 |
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詢價 | ||
MOT |
23+ |
DIP-40 |
5000 |
原裝正品,假一罰十 |
詢價 | ||
MOT |
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T0-51 |
85600 |
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詢價 |
