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MRF426分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻規(guī)格書PDF中文資料

MRF426
廠商型號

MRF426

參數(shù)屬性

MRF426 封裝/外殼為211-07;包裝為托盤;類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻;產(chǎn)品描述:TRANS RF NPN 35V 3A 211-07

功能描述

The RF Line NPN Silicon RF Power Transistor

封裝外殼

211-07

文件大小

171.52 Kbytes

頁面數(shù)量

5

生產(chǎn)廠商

MACOM

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-9-2 20:00:00

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MRF426規(guī)格書詳情

The RF Line

NPN Silicon RF Power Transistor

. . . designed for high gain driver and output linear amplifier stages in 1.5 to 30 MHz HF/SSB equipment.

? Specified 28 Volt, 30 MHz Characteristics —

Output Power = 25 W (PEP)

Minimum Gain = 22 dB

Efficiency = 35

? Intermodulation Distortion @ 25 W (PEP) —

IMD = –30 dB (Max)

? 100 Tested for Load Mismatch at all Phase Angles with 30:1 VSWR

? Class A and AB Characterization

? BLX 13 Equivalent

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    MRF426

  • 制造商:

    MACOM Technology Solutions

  • 類別:

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻

  • 包裝:

    托盤

  • 晶體管類型:

    NPN

  • 電壓 - 集射極擊穿(最大值):

    35V

  • 增益:

    25dB

  • 功率 - 最大值:

    25W

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    10 @ 1A,5V

  • 電流 - 集電極 (Ic)(最大值):

    3A

  • 安裝類型:

    底座安裝

  • 封裝/外殼:

    211-07

  • 供應商器件封裝:

    211-07,STYLE 1

  • 描述:

    TRANS RF NPN 35V 3A 211-07

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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