MRF421數(shù)據(jù)手冊分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極（BJT）-射頻規(guī)格書PDF
| 廠商型號 |
MRF421 |
| 參數(shù)屬性 | MRF421 封裝/外殼為211-11，2 型；包裝為托盤；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極（BJT）-射頻；產(chǎn)品描述：TRANS RF NPN 20V 20A 211-11 |
| 功能描述 | The RF Line NPN silicon RF power transistor |
| 封裝外殼 | 211-11，2 型 |
| 制造商 | 恩XP 恩XP |
| 中文名稱 | N智浦 |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時(shí)間 | 2025-9-8 10:07:00 |
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描述 Description
100 W (PEP), 30 MHz RF POWER TRANSISTORS NPN SILICON
Designed primarily for application as a high–power linear amplifier from 2.0 to 30 MHz.
? Specified 12.5 Volt, 30 MHz Characteristics —
??? Output Power = 100 W (PEP)
??? Minimum Gain = 10 dB
?? Efficiency = 40%
? Intermodulation Distortion @ 100 W (PEP) — IMD = – 30 dB (Min)
? 100% Tested for Load Mismatch at all Phase Angles with 30:1 VSWR
技術(shù)參數(shù)
- 產(chǎn)品編號：
MRF421
- 制造商：
ETC
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻
- 包裝：
托盤
- 晶體管類型：
NPN
- 電壓 - 集射極擊穿（最大值）：
20V
- 增益：
12dB
- 功率 - 最大值：
100W
- 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)（最小值）：
10 @ 5A，5V
- 電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：
20A
- 安裝類型：
底座安裝
- 封裝/外殼：
211-11，2 型
- 供應(yīng)商器件封裝：
211-11，2 型
- 描述：
TRANS RF NPN 20V 20A 211-11
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
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