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MRF21060R3中文資料摩托羅拉數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

MRF21060R3
廠商型號(hào)

MRF21060R3

功能描述

RF Power Field Effect Transistors

文件大小

550.96 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

8 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Motorola, Inc
企業(yè)簡(jiǎn)稱

MOTOROLA摩托羅拉

中文名稱

加爾文制造公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
MOTOROLA
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-8-3 12:05:00

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2170 MHz, 60 W, 28 V LATERAL N–CHANNEL RF POWER MOSFETs

Designed for PCN and PCS base station applications with frequencies from 2.1 to 2.2 GHz. Suitable for W–CDMA,CDMA, TDMA, GSM and multicarrier amplifier applications.

? Typical W–CDMA Performance: 2140 MHz, 28 Volts

5 MHz Offset @ 4.096 MHz BW, 15 DTCH

Output Power — 6.0 Watts

Power Gain — 12.5 dB

Drain Efficiency — 15

? Internally Matched, Controlled Q, for Ease of Use

? High Gain, High Efficiency and High Linearity

? Integrated ESD Protection

? Designed for Maximum Gain and Insertion Phase Flatness

? Capable of Handling 10:1 VSWR, @ 28 Vdc, 2.11 GHz, 60 Watts CW Output Power

? Excellent Thermal Stability

? Characterized with Series Equivalent Large–Signal Impedance Parameters

? Available in Tape and Reel. R3 Suffix = 250 Units per 56 mm, 13 Inch Reel.

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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