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MRF19030LR3中文資料飛思卡爾數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書
| 廠商型號(hào) |
MRF19030LR3 |
| 功能描述 | RF Power Field Effect Transistors |
| 文件大小 |
425.44 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
8 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | Freescale Semiconductor, Inc |
| 企業(yè)簡稱 |
FREESCALE【飛思卡爾】 |
| 中文名稱 | 飛思卡爾半導(dǎo)體官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識(shí) |  |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-8-1 17:23:00 |
| 人工找貨 | MRF19030LR3價(jià)格和庫存，歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
MRF19030LR3規(guī)格書詳情
RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
Designed for class AB PCN and PCS base station applications with frequencies from 1800 to 2000 MHz. Suitable for FM, TDMA, CDMA and multicarrier amplifier applications.
? CDMA Performance @ 1990 MHz, 26 Volts
IS-95 CDMA Pilot, Sync, Paging, Traffic Codes 8 Thru 13
885 kHz — -47 dBc in 30 kHz BW
1.25 MHz — -55 dBc in 12.5 kHz BW
2.25 MHz — -55 dBc in 1 MHz BW
Output Power — 4.5 Watts Avg.
Power Gain — 13.5 dB
Efficiency — 17
? Capable of Handling 10:1 VSWR, @ 26 Vdc, 1960 MHz, 30 Watts CW Output Power
特性 Features
? Internally Matched for Ease of Use
? High Gain, High Efficiency and High Linearity
? Integrated ESD Protection
? Designed for Maximum Gain and Insertion Phase Flatness
? Excellent Thermal Stability
? Characterized with Series Equivalent Large-Signal Impedance Parameters
? Low Gold Plating Thickness on Leads, 40μ″ Nominal.
? RoHS Compliant
? In Tape and Reel. R3 Suffix = 250 Units per 32 mm, 13 Inch Reel.
產(chǎn)品屬性
- 型號(hào)：
MRF19030LR3
- 功能描述：
IC MOSFET RF N-CHAN NI-400
- RoHS：
是
- 類別：
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> RF FET
- 系列：
-
- 產(chǎn)品目錄繪圖：
MOSFET SOT-23-3 Pkg
- 標(biāo)準(zhǔn)包裝：
3,000
- 晶體管類型：
N 通道 JFET
- 頻率：
-
- 增益：
- 電壓 -
- 測試：
-
- 額定電流：
30mA
- 噪音數(shù)據(jù)：
- 電流 -
- 測試：
- 功率 -
- 輸出：
- 電壓 -
- 額定：
25V
- 封裝/外殼：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供應(yīng)商設(shè)備封裝：
SOT-23-3（TO-236）
- 包裝：
帶卷(TR)
- 產(chǎn)品目錄頁面：
1558(CN2011-ZH PDF)
- 其它名稱：
MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
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