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MRF18085BLR3中文資料飛思卡爾數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

MRF18085BLR3
廠商型號

MRF18085BLR3

功能描述

RF Power Field Effect Transistors

文件大小

445.63 Kbytes

頁面數(shù)量

12

生產(chǎn)廠商 Freescale Semiconductor, Inc
企業(yè)簡稱

FREESCALE飛思卡爾

中文名稱

飛思卡爾半導(dǎo)體官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
FREESCALE
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-8-1 18:33:00

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MRF18085BLR3規(guī)格書詳情

RF Power Field Effect Transistors

N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs

Designed for GSM and GSM EDGE base station applications with frequencies from 1930 to 1990 MHz. Suitable for TDMA, CDMA, and multicarrier amplifier applications.

? GSM and GSM EDGE Performance, Full Frequency Band (1930 - 1990 MHz)

Power Gain - 12.5 dB (Typ) @ 85 Watts CW

Efficiency - 50 (Typ) @ 85 Watts CW

? Capable of Handling 5:1 VSWR, @ 26 Vdc, 1960 MHz, 85 Watts CW Output Power

特性 Features

? Internally Matched for Ease of Use

? High Gain, High Efficiency, and High Linearity

? Integrated ESD Protection

? Designed for Maximum Gain and Insertion Phase Flatness

? Excellent Thermal Stability

? Characterized with Series Equivalent Large-Signal Impedance Parameters

? Available with Low Gold Plating Thickness on Leads. L Suffix Indicates 40μ″ Nominal.

? RoHS Compliant

? In Tape and Reel. R3 Suffix = 250 Units per 56 mm, 13 inch Reel.

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    MRF18085BLR3

  • 功能描述:

    MOSFET N-CHAN 85W 26V NI-78O

  • RoHS:

  • 類別:

    分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> RF FET

  • 系列:

    -

  • 產(chǎn)品目錄繪圖:

    MOSFET SOT-23-3 Pkg

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝:

    3,000

  • 晶體管類型:

    N 通道 JFET

  • 頻率:

    -

  • 增益:

    - 電壓 -

  • 測試:

    -

  • 額定電流:

    30mA

  • 噪音數(shù)據(jù):

    - 電流 -

  • 測試:

    - 功率 -

  • 輸出:

    - 電壓 -

  • 額定:

    25V

  • 封裝/外殼:

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝:

    SOT-23-3(TO-236)

  • 包裝:

    帶卷(TR)

  • 產(chǎn)品目錄頁面:

    1558(CN2011-ZH PDF)

  • 其它名稱:

    MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR

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