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MRF18030ALSR3中文資料飛思卡爾數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

MRF18030ALSR3
廠商型號(hào)

MRF18030ALSR3

功能描述

RF Power Field Effect Transistors

文件大小

343.23 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

8 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Freescale Semiconductor, Inc
企業(yè)簡(jiǎn)稱

FREESCALE飛思卡爾

中文名稱

飛思卡爾半導(dǎo)體官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
FREESCALE
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-8-3 16:59:00

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MRF18030ALSR3規(guī)格書詳情

RF Power Field Effect Transistors

N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs

Designed for GSM and EDGE base station applications with frequencies from 1800 to 2000 MHz. Suitable for FM, TDMA, CDMA and multicarrier amplifier applications. Specified for GSM 1805-1880 MHz.

? Typical GSM Performance:

Power Gain - 14 dB (Typ) @ 30 Watts

Efficiency - 50 (Typ) @ 30 Watts

? Capable of Handling 5:1 VSWR, @ 26 Vdc, 30 Watts CW Output Power

特性 Features

? Internally Matched for Ease of Use

? High Gain, High Efficiency and High Linearity

? Integrated ESD Protection

? Designed for Maximum Gain and Insertion Phase Flatness

? Low Gold Plating Thickness on Leads, 40μ″ Nominal.

? RoHS Compliant

? in Tape and Reel. R3 Suffix = 250 Units per 32 mm, 13 inch Reel.

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    MRF18030ALSR3

  • 功能描述:

    IC MOSFET RF N-CHAN NI-400S

  • RoHS:

  • 類別:

    分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> RF FET

  • 系列:

    -

  • 產(chǎn)品目錄繪圖:

    MOSFET SOT-23-3 Pkg

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝:

    3,000

  • 晶體管類型:

    N 通道 JFET

  • 頻率:

    -

  • 增益:

    - 電壓 -

  • 測(cè)試:

    -

  • 額定電流:

    30mA

  • 噪音數(shù)據(jù):

    - 電流 -

  • 測(cè)試:

    - 功率 -

  • 輸出:

    - 電壓 -

  • 額定:

    25V

  • 封裝/外殼:

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝:

    SOT-23-3(TO-236)

  • 包裝:

    帶卷(TR)

  • 產(chǎn)品目錄頁(yè)面:

    1558(CN2011-ZH PDF)

  • 其它名稱:

    MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR

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