MRF1150MB分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極（BJT）-射頻規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號 |
MRF1150MB |
| 參數(shù)屬性 | MRF1150MB 封裝/外殼為332A-03；包裝為托盤；類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極（BJT）-射頻；產(chǎn)品描述：TRANS NPN 150W 906MHZ-1215MHZ |
| 功能描述 | Microwave Pulse Power Silicon NPN Transistor 150W (peak), 960-1215MHz |
| 封裝外殼 | 332A-03 |
| 文件大小 |
191.65 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
5 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | MA-COM |
| 網(wǎng)址 | |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2025-9-3 18:02:00 |
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MRF1150MB規(guī)格書詳情
Designed for Class B and C common base amplifier applications in short pulse TACAN, IFF, and DME transmitters.
? Guaranteed performance @ 1090 MHz, 50 Vdc
Output power = 150 W peak
Minimum gain = 7.8 dB
? 100 tested for load mismatch at all phase angles with 10:1 VSWR
? Industry standard package
? Nitride passivated
? Gold metallized, emitter ballasted for long life and resistance to metal migration
? Internal input matching for broadband operation
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號：
MRF1150MB
- 制造商：
MACOM Technology Solutions
- 類別：
分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻
- 包裝：
托盤
- 晶體管類型：
NPN
- 電壓 - 集射極擊穿（最大值）：
70V
- 增益：
9.8dB
- 功率 - 最大值：
150W
- 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：
10 @ 5A，5V
- 電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：
12A
- 安裝類型：
底座安裝
- 封裝/外殼：
332A-03
- 供應商器件封裝：
332A-03
- 描述：
TRANS NPN 150W 906MHZ-1215MHZ
| 供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
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