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MPSH10分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻規(guī)格書PDF中文資料

MPSH10
廠商型號(hào)

MPSH10

參數(shù)屬性

MPSH10 包裝為帶;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻;產(chǎn)品描述:RF TRANS NPNUHF/VHF

功能描述

SILICON NPN RF TRANSISTORS
RF TRANS NPNUHF/VHF

文件大小

328.22 Kbytes

頁面數(shù)量

2

生產(chǎn)廠商

CENTRAL

中文名稱

美國中央半導(dǎo)體

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-8-31 23:01:00

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MPSH10規(guī)格書詳情

MPSH10屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻。由美國中央半導(dǎo)體制造生產(chǎn)的MPSH10晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻雙極型射頻晶體管是一種具有三個(gè)端子的半導(dǎo)體器件,用于在涉及射頻的設(shè)備中開關(guān)或放大信號(hào)。雙極結(jié)型晶體管設(shè)計(jì)為 NPN 或 PNP,特征參數(shù)包括晶體管類型、集射極擊穿電壓、躍遷頻率、噪聲系數(shù)、增益、功率、DC 電流增益和集電極電流。

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號(hào):

    MPSH10

  • 制造商:

    Central Semiconductor Corp

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻

  • 包裝:

  • 晶體管類型:

    NPN

  • 電壓 - 集射極擊穿(最大值):

    25V

  • 頻率 - 躍遷:

    650MHz

  • 功率 - 最大值:

    350mW

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    60 @ 4mA,10V

  • 工作溫度:

    -65°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 描述:

    RF TRANS NPNUHF/VHF

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