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RLZTE-1112B	文件：820.45 Kbytes Page：4 Pages	500mAZenerLeadlessDiode	ROHMRohm 羅姆羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)	ROHM
RN1112	文件：267.81 Kbytes Page：5 Pages	Switching,InverterCircuit,InterfaceCircuitandDriverCircuitApplications	TOSHIBAToshiba Semiconductor 東芝株式會社東芝	TOSHIBA
RN1112	文件：278.46 Kbytes Page：5 Pages	Switching,InverterCircuit,InterfaceCircuitandDriverCircuitApplications	TOSHIBAToshiba Semiconductor 東芝株式會社東芝	TOSHIBA
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RN1112FT	文件：113.54 Kbytes Page：3 Pages	TOSHIBATransistorSiliconNPNEpitaxialType(PCTprocess)(BiasResistorbuilt-inTransistor) Switching,InverterCircuit,InterfaceCircuitandDriverCircuitApplications. ?High-densitymountispossiblebecauseofdeviceshousedinverythinTESMpackages. ?Incorporatingabiasresistorintoatransistorreducespartscount. Reducingthepartscountenablethemanufactureofever	TOSHIBAToshiba Semiconductor 東芝株式會社東芝	TOSHIBA
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