MOC8106M中文資料安森美半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書
MOC8106M規(guī)格書詳情
描述 Description
The CNY17XM, CNY17FXM, and MOC8106M devices consist of
a gallium arsenide infrared emitting diode coupled with an NPN
phototransistor in a dual in?line package.
特性 Features
? High BVCEO: 70 V Minimum
(CNY17XM, CNY17FXM, MOC8106M)
? Closely Matched Current Transfer Ratio (CTR) Minimizes
Unit?to?Unit Variation
? Current Transfer Ratio In Select Groups
? Very Low Coupled Capacitance Along With
No Chip?to?Pin 6 Base Connection for Minimum Noise
Susceptibility (CNY17FXM, MOC8106M)
? Safety and Regulatory Approvals:
? UL1577, 4,170 VACRMS for 1 Minute
? DIN?EN/IEC60747?5?5, 850 V Peak Working Insulation Voltage
Applications
? Power Supply Regulators
? Digital Logic Inputs
? Microprocessor Inputs
? Appliance Sensor Systems
? Industrial Controls
產(chǎn)品屬性
- 型號：
MOC8106M
- 功能描述：
晶體管輸出光電耦合器 PHOTO OUT OPTO NO BASE
- RoHS：
否
- 制造商：
Vishay Semiconductors
- 輸入類型：
DC
- 最大集電極/發(fā)射極電壓：
70 V
- 最大集電極/發(fā)射極飽和電壓：
0.4 V
- 絕緣電壓：
5300 Vrms
- 電流傳遞比：
100 % to 200 %
- 最大正向二極管電壓：
1.65 V
- 最大輸入二極管電流：
60 mA
- 最大集電極電流：
100 mA
- 最大功率耗散：
100 mW
- 最大工作溫度：
+ 110 C
- 最小工作溫度：
- 55 C
- 封裝/箱體：
DIP-4
- 封裝：
Bulk
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON/安森美 |
25+ |
NA |
860000 |
明嘉萊只做原裝正品現(xiàn)貨 |
詢價 | ||
onsemi(安森美) |
24+ |
DIP-6 |
31277 |
正規(guī)渠道,大量現(xiàn)貨,只等你來。 |
詢價 | ||
24+ |
N/A |
62000 |
一級代理-主營優(yōu)勢-實惠價格-不悔選擇 |
詢價 | |||
onsemi |
23+ |
TO-18 |
12800 |
原裝正品代理商最優(yōu)惠價格,現(xiàn)貨或訂貨 |
詢價 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
23+ |
DIP-6 |
50000 |
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨 |
詢價 | ||
FAIRCHILDONSEMICONDUCTOR |
24+ |
NA |
30000 |
房間原裝現(xiàn)貨特價熱賣,有單詳談 |
詢價 | ||
ON SEMICONDUCTOR |
24+ |
con |
35960 |
查現(xiàn)貨到京北通宇商城 |
詢價 | ||
FAIRCHILDONSEMICONDUCTOR |
22+ |
NA |
35000 |
原裝現(xiàn)貨,假一罰十 |
詢價 | ||
三年內(nèi) |
1983 |
只做原裝正品 |
詢價 | ||||
FAIRCHILD/仙童 |
22+ |
DIP6 |
18000 |
原裝正品 |
詢價 |
