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MMUN2115LT1G

PNP Transistors with Monolithic Bias Resistor Network

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

MMUN2115LT1G

Digital Transistors (BRT) R1 = 10 k, R2 =  k

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

MMUN2115LT1G

Digital Transistors (BRT)

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

MMUN2115LT1G

Package：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包裝：卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - 雙極（BJT）- 單，預(yù)偏置 描述：TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

NUP2115LT1G

DualLineFlexRayBusProtector

ESDProtectionDiode LowCapacitanceESDProtectionforHighSpeedData TheSZ/NUP2115LhasbeendesignedtoprotecttheFlexRaytransceiverfromESDandotherharmfultransientvoltageevents.ThisdeviceprovidesbidirectionalprotectionforeachdatalinewithasinglecompactSOT?23package,

ONSEMION Semiconductor

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NUP2115LT1G

2-Linebi-directionalTVSDiode

Features #150Wpeakpulsepower(8/200is) 4Ultralowleakage:nAlevel ?Operatingvoltage:24V ?Lowclampingvoltage 4Complieswithfollowingstandards: —IEC61000-4-2(ESD)immunitytest Airdischarge:+20kV' Contactdischarge:+15kV —IEC61000-4-4(EFT)40A(5/50ns) —~IEC61000-

TECHPUBLICTECH PUBLIC Electronics co LTD

臺舟電子臺舟電子股份有限公司

NUP2115LT1G

DualLineFlexRayBusProtector

ONSEMION Semiconductor

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SZNUP2115LT1G

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產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    MMUN2115LT1G

  • 制造商：

    onsemi

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 單，預(yù)偏置

  • 包裝：

    卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 晶體管類型：

    PNP - 預(yù)偏壓

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    160 @ 5mA，10V

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降（最大值）：

    250mV @ 300μA，10mA

  • 電流 - 集電極截止（最大值）：

    500nA

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    SOT-23-3（TO-236）

  • 描述：

    TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
onsemi(安森美)
24+
SOT-23(TO-236)
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原廠訂貨渠道,支持BOM配單一站式服務(wù)
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ON/安森美
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SOT23
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ON/安森美全新特價MMUN2115LT1G即刻詢購立享優(yōu)惠#長期有貨
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ON(安森美)
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三年內(nèi)
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17PB
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更多MMUN2115LT1G供應(yīng)商 更新時間2025-7-24 16:51:00

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