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MMIX1Y82N120C3H1分立半導體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

MMIX1Y82N120C3H1
廠商型號

MMIX1Y82N120C3H1

參數(shù)屬性

MMIX1Y82N120C3H1 封裝/外殼為24-PowerSMD,21 引線;包裝為卷帶(TR);類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:DISC IGBT SMPD PKG-STANDARD SMPD

功能描述

High-Speed IGBT for 20-50 kHz Switching
DISC IGBT SMPD PKG-STANDARD SMPD

封裝外殼

24-PowerSMD,21 引線

文件大小

248.19 Kbytes

頁面數(shù)量

8

生產(chǎn)廠商

IXYS

中文名稱

艾賽斯

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-9-5 23:00:00

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MMIX1Y82N120C3H1價格和庫存,歡迎聯(lián)系客服免費人工找貨

MMIX1Y82N120C3H1規(guī)格書詳情

MMIX1Y82N120C3H1屬于分立半導體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由艾賽斯制造生產(chǎn)的MMIX1Y82N120C3H1晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個端子的多層半導體器件,能夠處理大電流,具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    MMIX1Y82N120C3H1

  • 制造商:

    IXYS

  • 類別:

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • IGBT 類型:

    PT

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):

    3.4V @ 15V,82A

  • 開關(guān)能量:

    4.95mJ(開),2.78mJ(關(guān))

  • 輸入類型:

    標準

  • 25°C 時 Td(開/關(guān))值:

    29ns/192ns

  • 測試條件:

    600V,80A,2 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    24-PowerSMD,21 引線

  • 供應商器件封裝:

    24-SMPD

  • 描述:

    DISC IGBT SMPD PKG-STANDARD SMPD

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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