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MMBV3102LT1G分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的二極管-可變電容(變?nèi)萜骺勺冸娍蛊鳎┮?guī)格書PDF中文資料

MMBV3102LT1G
廠商型號(hào)

MMBV3102LT1G

參數(shù)屬性

MMBV3102LT1G 封裝/外殼為TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包裝為卷帶(TR);類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的二極管-可變電容(變?nèi)萜骺勺冸娍蛊鳎?;產(chǎn)品描述:DIODE TUNING SS 30V SOT23

功能描述

Silicon Tuning Diode
DIODE TUNING SS 30V SOT23

封裝外殼

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

文件大小

119.64 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

3 頁(yè)

生產(chǎn)廠商

ONSEMI

中文名稱

安森美半導(dǎo)體

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊(cè)

原廠下載下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時(shí)間

2025-8-8 13:58:00

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MMBV3102LT1G規(guī)格書詳情

MMBV3102LT1G屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的二極管-可變電容(變?nèi)萜骺勺冸娍蛊鳎?。由安森美半?dǎo)體公司制造生產(chǎn)的MMBV3102LT1G二極管 - 可變電容(變?nèi)萜鳎勺冸娍蛊鳎┛勺冸娙荻O管可按照電子可變電容器用途進(jìn)行生產(chǎn)和分類,并且廣泛用于調(diào)諧和頻率合成應(yīng)用。雖然大多數(shù)二極管的結(jié)電容都隨著所施加的反向偏壓增加而減小,并且能夠用作可變電容二極管,但專門作為此類器件銷售的產(chǎn)品在生產(chǎn)和分類時(shí)特別考慮了這種用途。

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號(hào):

    MMBV3102LT1G

  • 制造商:

    onsemi

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 二極管 - 可變電容(變?nèi)萜?,可變電抗器?/p>

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 不同?Vr、F 時(shí)電容:

    25pF @ 3V,1MHz

  • 電容比條件:

    C3/C25

  • 二極管類型:

    單路

  • 不同 Vr、F 時(shí) Q 值:

    200 @ 3V,50MHz

  • 工作溫度:

    125°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    SOT-23-3(TO-236)

  • 描述:

    DIODE TUNING SS 30V SOT23

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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