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MMBTH10LT3G分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極（BJT）-射頻規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號 |
MMBTH10LT3G |
| 參數(shù)屬性 | MMBTH10LT3G 封裝/外殼為TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包裝為托盤；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極（BJT）-射頻；產(chǎn)品描述：RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT23-3 |
| 功能描述 | VHF/UHF Transistor |
| 封裝外殼 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 文件大小 |
128.86 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
5 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | ONSEMI |
| 中文名稱 | 安森美半導(dǎo)體 |
| 網(wǎng)址 | |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2025-9-3 11:57:00 |
| 人工找貨 | MMBTH10LT3G價格和庫存，歡迎聯(lián)系客服免費人工找貨 |
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MMBTH10LT3G屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極（BJT）-射頻。由安森美半導(dǎo)體公司制造生產(chǎn)的MMBTH10LT3G晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻雙極型射頻晶體管是一種具有三個端子的半導(dǎo)體器件，用于在涉及射頻的設(shè)備中開關(guān)或放大信號。雙極結(jié)型晶體管設(shè)計為 NPN 或 PNP，特征參數(shù)包括晶體管類型、集射極擊穿電壓、躍遷頻率、噪聲系數(shù)、增益、功率、DC 電流增益和集電極電流。
VHF/UHF Transistor
NPN Silicon
特性 Features
? S and NSV Prefixes for Automotive and Other Applications
Requiring Unique Site and Control Change Requirements;
AEC?Q101 Qualified and PPAP Capable
? These Devices are Pb?Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS
Compliant
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號：
MMBTH10LT3G
- 制造商：
onsemi
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻
- 包裝：
托盤
- 晶體管類型：
NPN
- 電壓 - 集射極擊穿（最大值）：
25V
- 頻率 - 躍遷：
650MHz
- 功率 - 最大值：
225mW
- 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：
60 @ 4mA，10V
- 工作溫度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安裝類型：
表面貼裝型
- 封裝/外殼：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供應(yīng)商器件封裝：
SOT-23-3（TO-236）
- 描述：
RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT23-3
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
NK/南科功率 |
2025+ |
SOT-23-3 |
986966 |
國產(chǎn) |
詢價 | ||
ON/安森美 |
2450+ |
8540 |
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詢價 | |||
ON/安森美 |
23+ |
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25000 |
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ON/安森美 |
23+ |
SMD |
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