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MMBTH10-4LT1分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻規(guī)格書PDF中文資料

MMBTH10-4LT1
廠商型號

MMBTH10-4LT1

參數(shù)屬性

MMBTH10-4LT1 封裝/外殼為TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包裝為散裝;類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻;產(chǎn)品描述:RF TRANS NPN 25V 800MHZ SOT23-3

功能描述

VHF/UHF Transistor (NPN Silicon)
RF TRANS NPN 25V 800MHZ SOT23-3

封裝外殼

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

文件大小

52.24 Kbytes

頁面數(shù)量

6

生產(chǎn)廠商

ONSEMI

中文名稱

安森美半導體

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊

原廠下載下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-9-5 23:00:00

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MMBTH10-4LT1規(guī)格書詳情

MMBTH10-4LT1屬于分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻。由安森美半導體公司制造生產(chǎn)的MMBTH10-4LT1晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻雙極型射頻晶體管是一種具有三個端子的半導體器件,用于在涉及射頻的設備中開關或放大信號。雙極結型晶體管設計為 NPN 或 PNP,特征參數(shù)包括晶體管類型、集射極擊穿電壓、躍遷頻率、噪聲系數(shù)、增益、功率、DC 電流增益和集電極電流。

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    MMBTH10-4LT1

  • 制造商:

    onsemi

  • 類別:

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻

  • 包裝:

    散裝

  • 晶體管類型:

    NPN

  • 電壓 - 集射極擊穿(最大值):

    25V

  • 頻率 - 躍遷:

    800MHz

  • 功率 - 最大值:

    225mW

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    120 @ 4mA,10V

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供應商器件封裝:

    SOT-23-3(TO-236)

  • 描述:

    RF TRANS NPN 25V 800MHZ SOT23-3

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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