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MMBTH10-4LT1分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻規(guī)格書(shū)PDF中文資料

廠商型號(hào) |
MMBTH10-4LT1 |
參數(shù)屬性 | MMBTH10-4LT1 封裝/外殼為T(mén)O-236-3,SC-59,SOT-23-3;包裝為散裝;類(lèi)別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻;產(chǎn)品描述:RF TRANS NPN 25V 800MHZ SOT23-3 |
功能描述 | VHF/UHF Transistor |
封裝外殼 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
文件大小 |
88.02 Kbytes |
頁(yè)面數(shù)量 |
6 頁(yè) |
生產(chǎn)廠商 | ONSEMI |
中文名稱 | 安森美半導(dǎo)體 |
網(wǎng)址 | |
數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
更新時(shí)間 | 2025-9-5 23:00:00 |
人工找貨 | MMBTH10-4LT1價(jià)格和庫(kù)存,歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
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MMBTH10-4LT1屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻。由安森美半導(dǎo)體公司制造生產(chǎn)的MMBTH10-4LT1晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻雙極型射頻晶體管是一種具有三個(gè)端子的半導(dǎo)體器件,用于在涉及射頻的設(shè)備中開(kāi)關(guān)或放大信號(hào)。雙極結(jié)型晶體管設(shè)計(jì)為 NPN 或 PNP,特征參數(shù)包括晶體管類(lèi)型、集射極擊穿電壓、躍遷頻率、噪聲系數(shù)、增益、功率、DC 電流增益和集電極電流。
NPN Silicon VHF/UHF Transistor
NPN Silicon
? Device Marking: 3EM
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號(hào):
MMBTH10-4LT1
- 制造商:
onsemi
- 類(lèi)別:
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻
- 包裝:
散裝
- 晶體管類(lèi)型:
NPN
- 電壓 - 集射極擊穿(最大值):
25V
- 頻率 - 躍遷:
800MHz
- 功率 - 最大值:
225mW
- 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)(最小值):
120 @ 4mA,10V
- 工作溫度:
-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安裝類(lèi)型:
表面貼裝型
- 封裝/外殼:
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供應(yīng)商器件封裝:
SOT-23-3(TO-236)
- 描述:
RF TRANS NPN 25V 800MHZ SOT23-3
供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
onsemi(安森美) |
24+ |
SOT23(TO236) |
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