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MMBTA13LT1G中文資料安森美半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

MMBTA13LT1G
廠商型號

MMBTA13LT1G

功能描述

Darlington Amplifier Transistors

文件大小

74.14 Kbytes

頁面數(shù)量

6

生產(chǎn)廠商

ONSEMI

中文名稱

安森美半導(dǎo)體

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-8-7 23:00:00

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MMBTA13LT1G規(guī)格書詳情

Darlington Amplifier Transistors

NPN Silicon

特性 Features

? Pb?Free Packages are Available

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    MMBTA13LT1G

  • 功能描述:

    達林頓晶體管 300mA 30V NPN

  • RoHS:

  • 制造商:

    Texas Instruments

  • 配置:

    Octal

  • 晶體管極性:

    NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO:

    50 V 發(fā)射極 - 基極電壓

  • VEBO:

    集電極—基極電壓

  • 最大直流電集電極電流:

    0.5 A

  • 最大工作溫度:

    + 150 C

  • 安裝風格:

    SMD/SMT

  • 封裝/箱體:

    SOIC-18

  • 封裝:

    Reel

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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