MMBTA13數(shù)據(jù)手冊(cè)分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個(gè)規(guī)格書PDF
| 廠商型號(hào) |
MMBTA13 |
| 參數(shù)屬性 | MMBTA13 封裝/外殼為TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包裝為剪切帶（CT）帶盒（TB）；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個(gè)；產(chǎn)品描述：TRANS NPN DARL 30V 1.2A SOT23-3 |
| 功能描述 | NPN Silicon Darlington Transistors |
| 封裝外殼 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 制造商 | Infineon Infineon Technologies AG |
| 中文名稱 | 英飛凌 英飛凌科技股份公司 |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-9-7 10:51:00 |
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描述 Description
● High DC current gain
● High collector current
● Low collector-emitter saturation voltage
技術(shù)參數(shù)
- 產(chǎn)品編號(hào)：
MMBTA13
- 制造商：
onsemi
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個(gè)
- 包裝：
剪切帶（CT）帶盒（TB）
- 晶體管類型：
NPN - 達(dá)林頓
- 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降（最大值）：
1.5V @ 100μA，100mA
- 電流 - 集電極截止（最大值）：
100nA（ICBO）
- 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)（最小值）：
10000 @ 100mA，5V
- 頻率 - 躍遷：
125MHz
- 工作溫度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安裝類型：
表面貼裝型
- 封裝/外殼：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供應(yīng)商器件封裝：
SOT-23-3
- 描述：
TRANS NPN DARL 30V 1.2A SOT23-3
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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3000 |
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詢價(jià) |
