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MMBTA13分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個規(guī)格書PDF中文資料

MMBTA13
廠商型號

MMBTA13
參數(shù)屬性

MMBTA13 封裝/外殼為TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包裝為剪切帶（CT）帶盒（TB）；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個；產(chǎn)品描述：TRANS NPN DARL 30V 1.2A SOT23-3
功能描述

Silicon NPN transistor in a SOT-23 Plastic Package
封裝外殼

TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
文件大小

1.39114 Mbytes
頁面數(shù)量

6 頁
生產(chǎn)廠商

FOSHAN
中文名稱

藍箭電子
網(wǎng)址

網(wǎng)址
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-8-7 23:00:00
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MMBTA13規(guī)格書詳情

Featuress

Silicon NPN transistor in a SOT-23 Plastic Package.

特性 Features

High current gain.

Applications

Applications requiring extremely high current gain device designed.

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    MMBTA13

  • 制造商：

    onsemi

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個

  • 包裝：

    剪切帶（CT）帶盒（TB）

  • 晶體管類型：

    NPN - 達林頓

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降（最大值）：

    1.5V @ 100μA，100mA

  • 電流 - 集電極截止（最大值）：

    100nA（ICBO）

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    10000 @ 100mA，5V

  • 頻率 - 躍遷：

    125MHz

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    SOT-23-3

  • 描述：

    TRANS NPN DARL 30V 1.2A SOT23-3

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
onsemi(安森美)
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