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MMBT5551Q數(shù)據(jù)手冊(cè)分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè)規(guī)格書PDF

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廠商型號(hào)

MMBT5551Q

參數(shù)屬性

MMBT5551Q 封裝/外殼為TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè);產(chǎn)品描述:SS HI VOLTAGE TRANSISTOR SOT23 T

功能描述

NPN, 160V, 0.6A, SOT23

封裝外殼

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

制造商

Diodes Diodes Incorporated

中文名稱

美臺(tái)半導(dǎo)體

數(shù)據(jù)手冊(cè)

下載地址下載地址二

更新時(shí)間

2025-8-17 23:00:00

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MMBT5551Q規(guī)格書詳情

描述 Description

This bipolar junction transistor (BJT) is designed to meet the stringent requirements of automotive applications.

特性 Features

?BVCEO > 160V
?Ideal for Low Power Amplification and Switching
?Complementary PNP Type Available (MMBT5401)
?Totally Lead-Free & Fully RoHS compliant?
?Halogen- and Antimony-Free. “Green” Device?
?The MMBT5551Q is suitable for automotive applicationsrequiring specific change control; this part is AEC-Q101qualified, PPAP capable, and manufactured in IATF16949certified facilities.https://www.diodes.com/quality/product-definitions/

技術(shù)參數(shù)

  • 制造商編號(hào)

    :MMBT5551Q

  • 生產(chǎn)廠家

    :Diodes

  • Automotive Compliant PPAP

    :Yes

  • Product Type

    :-

  • IC

    :600 A

  • ICM

    :- A

  • PD

    :300 W

  • hFE

    :- Min

  • hFE (@ IC)

    :0.01 A

  • hFE (Min 2)

    :30

  • hFE (@ IC2)

    :0.05 A

  • VCE (SAT) Max

    :150 mV

  • VCE (SAT) (@ IC/IB) (A/m A)

    :0.01/1

  • VCE (SAT) (@ IC/IB2) (A/m A)

    :0.05/5

  • fT (MHz)

    :100

  • VCE (SAT) (Max.2)

    :200 mV

  • RCE(SAT)

    :N/A mΩ

  • Packages

    :SOT23

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