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MMBT5551LT1_ONSEMI/安森美半導(dǎo)體_兩極晶體管 - BJT 600mA 160V NPN富誠(chéng)威科技
- 詳細(xì)信息
- 規(guī)格書下載
產(chǎn)品屬性
- 類型
描述
- 型號(hào):
MMBT5551LT1
- 功能描述:
兩極晶體管 - BJT 600mA 160V NPN
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶體管極性:
PNP 集電極—基極電壓
- VCBO:
集電極—發(fā)射極最大電壓
- VCEO:
- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓
- VEBO:
- 6 V
- 增益帶寬產(chǎn)品fT:
直流集電極/Base Gain hfe
- Min:
100 A
- 安裝風(fēng)格:
SMD/SMT
- 封裝/箱體:
PowerFLAT 2 x 2
供應(yīng)商
相近型號(hào)
- MMBT5551L100-200
- MMBT5551L(100-200)
- MMBT5551LT1G1
- MMBT5551-L
- MMBT5551LT1G-G1
- MMBT5551L
- MMBT5551LT1GIC
- MMBT5551IC
- MMBT5551-HF
- MMBT5551HE3-TP
- MMBT5551HE3
- MMBT5551-HAF
- MMBT5551LT1H
- MMBT5551-H
- MMBT5551LT1-ON
- MMBT5551H
- MMBT5551LT1-TR
- MMBT5551G-T3
- MMBT5551G-C
- MMBT5551G-B-AE3-R
- MMBT5551LT3
- MMBT5551G-B
- MMBT5551LT3G
- MMBT5551LTIC
- MMBT5551-G1T1
- MMBT5551M3T5G
- MMBT5551G1IC
- MMBT5551-MS
- MMBT5551-G1100-200
- MMBT5551NL
- MMBT5551-G1
- MMBT5551-NL
- MMBT5551G1
- MMBT5551Q
- MMBT5551Q-7
- MMBT5551Q-7-F
- MMBT5551-G
- MMBT5551S
- MMBT5551G
- MMBT5551SOT23
- MMBT5551FSCT-ND
- MMBT5551DW1T1G
- MMBT5551DW
- MMBT5551ST
- MMBT5551CNA
- MMBT5551T
- MMBT5551-BOX
- MMBT5551-T
- MMBT5551-BHG1B
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