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MMBT5550LT1G

High Voltage Transistors

HighVoltageTransistors NPNSilicon Features ?SPrefixforAutomotiveandOtherApplicationsRequiringUnique SiteandControlChangeRequirements;AEC?Q101Qualifiedand PPAPCapable ?TheseDevicesarePb?Free,HalogenFree/BFRFreeandareRoHSCompliant

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

MMBT5550LT1G

High Voltage Transistors

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

MMBT5550LT1G

High Voltage Transistors NPN Silicon

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

MMBT5550LT1G

Package：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包裝：卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶 類(lèi)別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個(gè) 描述：TRANS NPN 140V 0.6A SOT23-3

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

MMBT5550LT1G_10

High Voltage Transistors NPN Silicon

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

LMBT5550LT1

HighVoltageTransistors

LRCLeshan Radio Company

樂(lè)山無(wú)線電樂(lè)山無(wú)線電股份有限公司

LMBT5550LT1G

HighVoltageTransistorsRoHSrequirements.

LRCLeshan Radio Company

樂(lè)山無(wú)線電樂(lè)山無(wú)線電股份有限公司

LMBT5550LT1G

HighVoltageTransistors

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安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

MMBT5550LT1

HighVoltageTransistors(NPNSilicon)

HighVoltageTransistors NPNSilicon

LRCLeshan Radio Company

樂(lè)山無(wú)線電樂(lè)山無(wú)線電股份有限公司

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    MMBT5550LT1G

  • 制造商：

    onsemi

  • 類(lèi)別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個(gè)

  • 包裝：

    卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 晶體管類(lèi)型：

    NPN

  • 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降（最大值）：

    250mV @ 5mA，50mA

  • 電流 - 集電極截止（最大值）：

    100nA

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    60 @ 10mA，5V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類(lèi)型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    SOT-23-3（TO-236）

  • 描述：

    TRANS NPN 140V 0.6A SOT23-3

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
ONSEMI/安森美
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SOT23
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更多MMBT5550LT1G供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-7-26 17:26:00

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