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MMBT5550L數(shù)據(jù)手冊分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個規(guī)格書PDF

PDF無圖
廠商型號

MMBT5550L

參數(shù)屬性

MMBT5550L 封裝/外殼為TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個;產(chǎn)品描述:TRANS NPN 140V 0.6A SOT23-3

功能描述

高電壓 NPN 雙極晶體管
TRANS NPN 140V 0.6A SOT23-3

封裝外殼

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名稱

安森美半導(dǎo)體 安森美半導(dǎo)體公司

數(shù)據(jù)手冊

原廠下載下載地址下載地址二

更新時間

2025-8-18 20:03:00

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MMBT5550L規(guī)格書詳情

描述 Description

The High Voltage NPN Bipolar Transistor is designed for general purpose switching applications. The device is housed in the SOT-23 package, which is designed for lower power surface mount applications.

特性 Features

? Miniature SOT-23 Surface Mount Package Saves Board Space
? S Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable

簡介

MMBT5550L屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個。由制造生產(chǎn)的MMBT5550L晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個分立式雙極結(jié)型晶體管 (BJT) 通常在音頻、無線電及其他應(yīng)用中用于構(gòu)建模擬信號放大功能。作為大批量生產(chǎn)的第一批半導(dǎo)體器件之一,對于涉及高頻開關(guān)和在大電流或高電壓下工作的應(yīng)用而言,它們的特性相比某些器件類型不占優(yōu)勢,但對于需要以極小的噪聲和失真構(gòu)建模擬信號的應(yīng)用而言,它們?nèi)匀皇鞘走x技術(shù)。

技術(shù)參數(shù)

更多
  • 制造商編號

    :MMBT5550L

  • 生產(chǎn)廠家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Halide free

    :H

  • Status

    :Active

  • Polarity

    :NPN

  • Type

    :General Purpose

  • VCE(sat) Max (V)

    :0.25

  • IC Cont. (A)

    :0.6

  • VCEO Min (V)

    :140

  • VCBO (V)

    :160

  • VEBO (V)

    :6

  • VBE(sat) (V)

    :1.2

  • VBE(on) (V)

    :-

  • hFE Min

    :60

  • hFE Max

    :250

  • fT Min (MHz)

    :-

  • PTM Max (W)

    :0.225

  • Package Type

    :SOT-23-3

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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