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MMBT5401L

High Voltage Transistor

HighVoltageTransistor PNPSilicon Features ?SandNSVPrefixforAutomotiveandOtherApplicationsRequiring UniqueSiteandControlChangeRequirements;AEC?Q101 QualifiedandPPAPCapable ?TheseDevicesarePb?Free,HalogenFree/BFRFreeandareRoHSCompliant

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

MMBT5401L

高電壓 PNP 雙極晶體管; ? These Devices are PbFree, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant\n? S Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable\n;

The High Voltage PNP Bipolar Transistor is designed for general purpose switching applications. The device is housed in the SOT-23 package, which is designed for lower power surface mount applications.

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

MMBT5401L-AE3-R

HIGH VOLTAGE SWITCHING TRANSISTOR

FEATURES *Collector-EmitterVoltage:VCEO=-150V *CollectorDissipation:Pc(max)=350mW *Highcurrentgain

UTCUnisonic Technologies

友順友順科技股份有限公司

MMBT5401LT1

絲印：2L；Package：SOT-23；High Voltage Transistor

HighVoltageTransistor PNPSilicon

MotorolaMotorola, Inc

摩托羅拉加爾文制造公司

MMBT5401LT1

High Voltage Transistor(PNP Silicon)

HighVoltageTransistor PNPSilicon

LRCLeshan Radio Company

樂山無線電樂山無線電股份有限公司

MMBT5401LT1

High Voltage Transistor(PNP Silicon)

HighVoltageTransistor PNPSilicon Features ?Pb?FreePackagesareAvailable

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

MMBT5401LT1

PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR

Description TheMMBT5401LT1isdesignedforgeneralpurposeapplicationsrequiringhighbreakdownvoltages. Features ?HighCollector-EmitterBreakdownVoltage.BVCEO=150V(@IC=1mA) ?ComplementstoNPNTypeMMBT5551LT1.

TGS

Tiger Electronic Co.,Ltd

MMBT5401LT1

SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors

TRANSISTOR(PNP) FEATURES Powerdissipation PCM:0.3W(Tamb=25℃) Collectorcurrent ICM:-0.6A Collector-basevoltage V(BR)CBO:-160V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ,Tstg:-55℃to+150℃

AVICTEK

Avic Technology

MMBT5401LT1

SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors

WINNERJOINSHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD

永而佳深圳市永而佳實業(yè)有限公司

MMBT5401LT1

High Voltage Transistor

FEATURE ●Pb-Freepackageisavailable RoHSproductforpackingcodesuffixG HalogenfreeproductforpackingcodesuffixH

WILLASWILLAS ELECTRONIC CORP

威倫威倫電子股份有限公司

技術(shù)參數(shù)

  • Pb-free：

    Pb

  • AEC Qualified：

    A

  • Halide free：

    H

  • PPAP Capablee：

    P

  • Status：

    Active

  • Polarity：

    PNP

  • Type：

    General Purpose

  • VCE(sat) Max (V)：

    0.5

  • IC Cont. (A)：

    0.5

  • VCEO Min (V)：

    150

  • VCBO (V)：

    160

  • VEBO (V)：

    5

  • VBE(sat) (V)：

    1

  • hFE Min：

    60

  • hFE Max：

    240

  • fT Min (MHz)：

    100

  • PTM Max (W)：

    0.225

  • Package Type：

    SOT-23-3

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原裝現(xiàn)貨假一罰十
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TO-220-3
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原裝正品假一罰十,代理渠道價格優(yōu)
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更多MMBT5401L供應(yīng)商 更新時間2025-7-29 13:30:00

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