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MMDT5401	文件：231.59 Kbytes Page：3 Pages	Plastic-EncapsulateTransistors	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半導(dǎo)體股份有限公司	MCC
MMDT5401	文件：170.99 Kbytes Page：4 Pages	DUALPNPSMALLSIGNALSURFACEMOUNTTRANSISTOR Features ?EpitaxialPlanarDieConstruction ?ComplementaryNPNTypeAvailable(MMDT5551) ?IdealforMediumPowerAmplificationandSwitching ?Ultra-SmallSurfaceMountPackage ?LeadFree/RoHSCompliant(Note3) ?GreenDevice(Note4and5)	DIODESDiodes Incorporated 美臺半導(dǎo)體	DIODES
MMDT5401	文件：110.52 Kbytes Page：3 Pages	HIGHVOLTAGESWITCHINGTRANSISTOR DESCRIPTION TheUTC5401isahighvoltagefast-switchingdualPNPtransistor.Itischaracterizedwithhighbreakdownvoltage,highcurrentgainandhighswitchingspeed. FEATURES HighCollector-EmitterVoltage:VCEO=-150V Highcurrentgain	UTCUnisonic Technologies 友順友順科技股份有限公司	UTC
MMDT5401	文件：189 Kbytes Page：2 Pages	Plastic-EncapsulateTransistors FEATURES EpitaxialPlanarDieConstruction ComplementaryPNPTypeAvailable(MMDT5551) IdealforMediumPowerAmplificationandSwitching	HOTTECHGuangdong Hottech Co. Ltd. 合科泰深圳市合科泰電子有限公司	HOTTECH
MMDT5401	文件：146.66 Kbytes Page：3 Pages	DualPNPSmallSignalSurfaceMountTransistor FEATURES ●Epitaxialplanardieconstruction. ●ComplementaryNPNtypeavailableMMDT5551. ●Ultra-smallsurfacemountpackage. APPLICATIONS ●ForLowpoweramplificationandswitching.	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 銀河微電常州銀河世紀微電子股份有限公司	BILIN
MMDT5401	文件：4.44045 Mbytes Page：4 Pages	DUALTRANSISTOR(PNPPNP) DUALTRANSISTOR(PNP+PNP) FEATURES ●EpitaxialPlanarDieConstruction ●ComplementaryNPNTypeAvailable(MMDT5551) ●IdealforMediumPowerAmplificationandSwitching	JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd 長電科技江蘇長電科技股份有限公司	JIANGSU
MMDT5401	文件：248.45 Kbytes Page：3 Pages	Plastic-EncapsulateTransistors	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半導(dǎo)體股份有限公司	MCC
MMDT5401	文件：853.65 Kbytes Page：3 Pages	EpitaxialPlanarDieConstruction Features EpitaxialPlanarDieConstruction ComplementaryNPNTypeAvailable(MMDT5551) IdealforMediumPowerAmplificationandSwitching Ultra-SmallSurfaceMountPackage LeadFree/RoHSCompliant(Note3) GreenDevice(Note4and5)	SKTECHNOLGYSHIKE Electronics 時科廣東時科微實業(yè)有限公司	SKTECHNOLGY
MMDT5401	文件：1.5168 Mbytes Page：4 Pages	SOT-363Plastic-EncapsulateTransistors FEATURES EpitaxialPlanarDieConstruction ComplementaryNPNTypeAvailable(MMDT5551) IdealforMediumPowerAmplificationandSwitching	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶電子東莞市南晶電子有限公司	DGNJDZ
MMDT5401	文件：1.47454 Mbytes Page：4 Pages	PNPPNPPlastic-EncapsulateTransistors Features EpitaxialPlanarDieConstruction ComplementaryNPNTypeAvailable(TPMMDT5551) IdealforMediumPowerAmplificationandSwitching	TECHPUBLICTECH PUBLIC Electronics co LTD 臺舟電子臺舟電子股份有限公司	TECHPUBLIC

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技術(shù)參數(shù)

VCBO(V)：
-160
VCEO(V)：
-150
fT(MHz)：
100
IC(A)：
-0.6
hFEmin：
100
hFEmax：
300
Status：
Active
Type：
PNP
封裝型式：
SOT-23

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
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深圳中芯器材有限公司	MMBT5401-HAF	ST(先科)	23+	TO-236-3	1450	三極管/MOS管/晶體管 > 三極管(BJT)	詢價
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更多MMBT5401-H供應(yīng)商更新時間2025-7-29 11:06:00

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