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MMBT3906L分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個(gè)規(guī)格書PDF中文資料

MMBT3906L
廠商型號

MMBT3906L
參數(shù)屬性

MMBT3906L 封裝/外殼為TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包裝為卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個(gè)；產(chǎn)品描述：TRANS PNP 40V 0.2A SOT23-3
功能描述

General Purpose Transistor
TRANS PNP 40V 0.2A SOT23-3
封裝外殼

TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
文件大小

140.01 Kbytes
頁面數(shù)量

7 頁
生產(chǎn)廠商

ONSEMI
中文名稱

安森美半導(dǎo)體
網(wǎng)址

網(wǎng)址
數(shù)據(jù)手冊

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更新時(shí)間

2025-8-8 14:30:00
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MMBT3906L規(guī)格書詳情

MMBT3906L屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個(gè)。由安森美半導(dǎo)體公司制造生產(chǎn)的MMBT3906L晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個(gè)分立式雙極結(jié)型晶體管 (BJT) 通常在音頻、無線電及其他應(yīng)用中用于構(gòu)建模擬信號放大功能。作為大批量生產(chǎn)的第一批半導(dǎo)體器件之一，對于涉及高頻開關(guān)和在大電流或高電壓下工作的應(yīng)用而言，它們的特性相比某些器件類型不占優(yōu)勢，但對于需要以極小的噪聲和失真構(gòu)建模擬信號的應(yīng)用而言，它們?nèi)匀皇鞘走x技術(shù)。

General Purpose Transistor

PNP Silicon

特性 Features

? AEC?Q101 Qualified and PPAP Capable

? S Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control

Change Requirements

? These Devices are Pb?Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant

產(chǎn)品屬性

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  • 產(chǎn)品編號：

    MMBT3906LT1G

  • 制造商：

    onsemi

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個(gè)

  • 包裝：

    卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 晶體管類型：

    PNP

  • 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降（最大值）：

    400mV @ 5mA，50mA

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    100 @ 10mA，1V

  • 頻率 - 躍遷：

    250MHz

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    SOT-23-3（TO-236）

  • 描述：

    TRANS PNP 40V 0.2A SOT23-3

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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