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MMDT3906	文件：240.65 Kbytes Page：2 Pages	Multi-ChipTransistor	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
MMDT3906	文件：109.38 Kbytes Page：2 Pages	PNPSmallSignalSurfaceMountTransistors Features ?Halogenfreeavailableuponrequestbyaddingsuffix-HF ?LeadFreeFinish/RoHSCompliant(PSuffixdesignatesRoHSCompliant.Seeorderinginformation) ?IdealforLowPowerAmplificationandSwitching ?Ultra-smallSurfaceMountPackage ?EpitaxialPlanarDieConstruction ?Epo	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半導(dǎo)體股份有限公司	MCC
MMDT3906	文件：174.83 Kbytes Page：4 Pages	DUALPNPSMALLSIGNALSURFACEMOUNTTRANSISTOR Features ?EpitaxialPlanarDieConstruction ?IdealforLowPowerAmplificationandSwitching ?Ultra-SmallSurfaceMountPackage ?LeadFree/RoHSCompliant(Note2) ?GreenDevice(Note3and4)	DIODESDiodes Incorporated 美臺半導(dǎo)體	DIODES
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MMDT3906	文件：121.58 Kbytes Page：4 Pages	DUALPNPSMALLSIGNALSURFACEMOUNTTRANSISTOR DESCRIPTION TheUTCMMDT3906isaDualPNPsmallsignalsurfacemounttransistor.It’ssuitableforlowpoweramplificationandswitch. FEATURES SuitableforLowPowerAmplificationandSwitching EpitaxialPlanarDieConstruction *Extremely-SmallSurfaceMountPackage	UTCUnisonic Technologies 友順友順科技股份有限公司	UTC
MMDT3906	文件：446.77 Kbytes Page：7 Pages	40VDUALPNPSMALLSIGNALTRANSISTOR	DIODESDiodes Incorporated 美臺半導(dǎo)體	DIODES
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MMDT3906	文件：4.06776 Mbytes Page：4 Pages	DUALTRANSISTOR(PNPPNP) DUALTRANSISTOR(PNP+PNP) FEATURES ●Epitaxialplanardieconstruction ●Idealforlowpoweramplificationandswitching	JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd 長電科技江蘇長電科技股份有限公司	JIANGSU
MMDT3906	文件：176.23 Kbytes Page：1 Pages	Multi-ChipTRANSISTOR(PNP) FEATURES PowerdissipationPCM:0.2W(Tamb=25℃) CollectorcurrentICM:-0.2A Collector-basevoltageV(BR)CBO:-40V OperatingandstoragejunctiontemperaturerangeTJ,Tstg:-55℃to+150℃	WINNERJOINSHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD 永而佳深圳市永而佳實業(yè)有限公司	WINNERJOIN
MMDT3906	文件：148.79 Kbytes Page：4 Pages	DualPNPSmallSignalSurfaceMountTransistor	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 銀河微電常州銀河世紀(jì)微電子股份有限公司	BILIN

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