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MMBT2907ALT1分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè)規(guī)格書PDF中文資料

廠商型號(hào) |
MMBT2907ALT1 |
參數(shù)屬性 | MMBT2907ALT1 封裝/外殼為TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè);產(chǎn)品描述:TRANS PNP 60V 0.6A SOT23 |
功能描述 | General Purpose Transistor(PNP Silicon) |
封裝外殼 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
文件大小 |
192.86 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
4 頁 |
生產(chǎn)廠商 | LRC |
中文名稱 | 樂山無線電 |
網(wǎng)址 | |
數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
更新時(shí)間 | 2025-8-12 23:01:00 |
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MMBT2907ALT1規(guī)格書詳情
PNP Silicon General Purpose Transistor
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號(hào):
MMBT2907ALT1HTSA1
- 制造商:
Infineon Technologies
- 類別:
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個(gè)
- 包裝:
卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶
- 晶體管類型:
PNP
- 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降(最大值):
1.6V @ 50mA,500mA
- 電流 - 集電極截止(最大值):
10nA(ICBO)
- 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)(最小值):
100 @ 150mA,10V
- 頻率 - 躍遷:
200MHz
- 工作溫度:
150°C(TJ)
- 安裝類型:
表面貼裝型
- 封裝/外殼:
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供應(yīng)商器件封裝:
PG-SOT23
- 描述:
TRANS PNP 60V 0.6A SOT23
供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
Infineon(英飛凌) |
24+ |
SOT-23 |
3022 |
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詢價(jià) | ||
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